昝育德，男，1939年6月出生于山西省大同市，是中国科学院半导体研究所新材料中心的一名高级工程师。他在1965年毕业于天津南开大学物理科学学院，并自同年8月起在中国科学院半导体研究所新材料中心担任职务。

昝育德的专业领域包括晶体生长、材料物理、电子学及其相关设备的加工。他的职业生涯始于参与区域熔化提纯硅的工作，成功完成了多项国家任务，实现了硅单晶电阻率和少数载流子寿命均超过千的单晶生长。此后，他独立开展了三项重要工作：首先，基于异质外延界面结合能的考虑，提出了蓝宝石上异质外延硅（硅/蓝宝石或SOS）的成核半径小于硅/尖晶石的观点，并指出SOS薄膜的质量优于硅/尖晶石。其次，他对国内蓝宝石的晶向相图进行了修正，并克服了蓝宝石难以加工的问题，研发出了适用于SOS-CMOS制造的完美晶体表面。此外，他还制定了一系列完整的切磨抛工艺及检测方法，使得蓝宝石的切磨抛技术成为了SOS加工工艺的重要环节。昝育德还自行加工了不锈钢硬接外延系统，推动了SOS研究组的发展。在80年代中期，他成功研制出适合制作SOS-CMOS器件的SOS薄膜，并通过了所级鉴定。

昝育德的职业成就显著，他所在的中国科学院半导体研究所SOS-CMOS器件研究在国内形成了独立的工艺体系。他们完成了国家下达的任务，如长寿命卫星用CMOS集成电路和抗辐照加固CMOS-ISOS集成电路的研发，并因此获得了中国科学院科技进步二等奖和三等奖。昝育德还独立设计并加工了一台水平、常压MOVPE设备，用于GaSe单晶外延生长，并通过了所级鉴定。这台设备目前仍在材料开放实验室中使用，用于外延生长蓝光GaN膜。在“八五”期间，他负责了一个国家重大基金项目，设计并加工了一台低压、超高真空兼用的立式MOCVD设备，并利用它研制出了双异质外延Si/γ-Al2O3/Si薄膜。在他退休之前，半导体所微电子中心利用这种薄膜研制出了MOS单管和CMOS六倒相器电路。昝育德发表了多篇文章，其中包括《蓝宝石-硅和尖晶石-硅界面层宽度的俄欧分析》《硅的位错核心结构无悬挂键》《γ-Al2O3/Si薄膜高真空MOCVD异质外延生长》和《半导体制冷恒温浴槽》。