刘新宇，男，汉族，1973年10月出生，无党派人士，微电子学专业博士，研究员，博士生导师。曾任中国科学院微电子研究所副所长。

刘新宇，男，曾任中国科学院微电子研究所所长助理、微波器件与集成电路研究室（四室）主任，2011年5月任中国科学院微电子研究所副所长。还担任中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室副主任，电子学会青年工作委员会委员，是国家“核高基”重大专项“十二五”编写组专家。

1991——1995年，安徽师范大学物理系　 学士

1995——1998年，中华人民共和国航天工业部771所微电子专业　 硕士

1998——2000年，中国科学院微电子研究所微电子专业　 博士

主要研究领域为：III-V族化合物（GaAs、InP、GaN）半导体器件和电路工艺，微波MMIC设计和研制，以及微波功率模块研究。

微波器件、模块与集成电路

1998-2001年作为主要负责人参与国家九五攻关项目（亚微米CMOS/SOI器件与电路研究）和院重点创新项目（CMOS/SOI 64Kb静态随机存储器研制），负责电路设计和工艺开发总体工作，“亚微米CMOS/SOI器件与电路研究”已通过国家验收，并在国内首次研发出大规模CMOS/SOI 64Kb静态随机存储器电路。

2000年，作为负责人之一参加院重点创新项目（8×10Gb/s DWDM光纤通信光电发射模块研究），负责工艺开发工作。

2001年，主持国内首条4英寸GaAs生产线建设，成功开发4英寸GaAs HBT和HEMT工艺流程。

2002年，作为首席专家助理参加973项目“新一代化合物半导体电子器件与电路研究”，协助首席科学家钱鹤研究员开展项目整体协调，负责科研进度管理和财务稽查，同时负责重点子课题“AlGaN/GaN微波功率器件”。

2002年11月，作为首席科学家（钱鹤研究员）助理参加院重点创新项目，成功研制出国内领先的GaN基功率器件和InP基超高频器件和电路，部分成果达到国际先进水平。

2006年，作为首席科学家负责重点创新项目“X波段宽禁带半导体功率器件和材料研究”。

2008年，作为负责人之一负责自然基金重大项目“氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究”。

2009年，作为首席科学家带领团队获973项目“超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究”滚动支持。

他师从著名科学家吴德馨院士，主要从事抗辐照SOI CMOS电路和化合物半导体微波器件、电路及模块的研究与开发。先后参加和主持国家级项目9项，科研经费达到1.3亿元。2000年，在国内首次研发出大规模CMOS/SOI 64Kb静态随机存储器电路和万门级全耗尽门阵列电路。2002年，年仅29岁的他被破格提升为研究员。2004年，担任“973”项目“新一代化合物半导体电子器件与电路研究”首席科学家。2006年，接任973项目首席科学家。2007年5月，作为首席科学家负责院重点创新项目。   2009年，作为首席科学家的“973”项目“超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究”获得科技部的滚动支持，获得国防科技一等奖一项。他先后在国内外重要学术刊物上发表学术论文90余篇，申请国家发明专利26项。他是中国科学院微电子研究所重点培养的青年后备干部。

2020年7月31日，中共中国科学院党组经研究，决定：免去刘新宇同志微电子研究所副所长职务，保留副局级。