长期从事量子物理计量与凝聚态物理研究。1962年至1971年,高洁在中国计量科学研究院工作。1971年至1985年,高洁在中国测试技术研究院工作。1987年至1990年,高洁担任
美国国家标准与技术研究院客座研究员。1999年,高洁当选为中国工程院院士。
1994年以来先后任中国科学院计量测试高技术联合实验室(北京)学术委员会副主任、
北京大学量子电子学研究所客座教授、
电子科技大学高能电子研究所客座教授、
中国测试技术研究院副院长、中国测试技术研究院科学技术委员会主任。
1963-1968年在北京负责完成了“
硅钢片交流损耗和磁特性标准测量”,成为我国最早的硅钢片磁特性国家标准。
1978-1985年负责完成了“以超导约瑟夫森效应保持和监督国家电压基准”,以量子效应为基础,首次测定了我国国家
伏特基准对国际法定伏特的偏离值,最先在我国研制成功双结串联10毫伏瑟夫森器件,并测定了我国国家伏特基准对国际法定伏特的偏离值。
1987年10月—1990年10月在美国国家标准局进行客座研究,解决了长期未决的静电放电击穿、超导
集成电路漏电导等问题。
1995年巴黎国际计量局运输其超导
布赖恩·约瑟夫森电压标准到北京,与我国电压基准进行比对,在美、日、英、法等十余个国家中,我国电压基准的不确定度数最小,且最靠近中心值。
2004年在
四川大学负责建立了“低维与介观物理实验室”,目前负责“表面声波在两维电子气中的单电子输运”等科研项目。
高洁院士响应三线建设国家战略需求,毅然从北京去到
大邑县鹤鸣山脚下,在艰苦年代把量子物理计量尖端科技植根于
中国测试技术研究院的山洞实验室,为中测院高质量发展作出了突出贡献,用实际行动诠释着“艰苦创业、无私奉献、团结协作、勇于创新”的三线精神,鼓舞着一代又一代中测人不断前行,同时也激励着大家为把中测院建设成为一流的国家级研究院努力奋斗。——中国测试技术研究院评