军用手电筒是以发光二极管作为光源，外壳为铝合金，具有战术开关可轻松换档的一种新型照明工具，它具有省电、耐用、亮度强、射程远等优点。适合野营、探险、搜捕、战争等用途，有的亮度强的能让人暂时失明，达到逮捕、自卫等目的，通常情况下，其档位有3个：弱光、强光、爆闪。部分军用手电筒也能调焦距、改变灯光形状、防水、防爆等特殊功能。

军用手电筒又称为战术手电，执法部门和军队专用的。和普通的手电筒差别较大，战术手电是高科技的结晶，高性能的战术手电也就屈指可数的几个公司专门生产，不仅非常坚固耐用，极为结实，完全适应野外最恶劣的环境，而且可以发出很亮很笔直的光线，并且可以靠少量电源驱动很长时间。一般光源技术是做不出来的。

发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。

假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。

理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即

λ≈1240/Eg（mm）

式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光股份～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为远红外线。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。

1．极限参数的意义

（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。

（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。

（3）最大反向电压vrm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。

（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。