硅单晶片是半导体的主要基片材料之一。硅单晶在生产过程中由于晶体生长可能出现晶体内缺陷，也可由于制备过程中留下的机械损伤以及污染导致半导体成品率的降低。为获得表面光洁、平整的晶圆,提高半导体成品率，对硅片必需进行研磨和抛光。研磨可使晶片表面达到微米级加工精度，但硅片经研磨后还会有一定的损伤层，需在抛光机中进行抛光。

目前了，硅片抛光均使用二氧化硅抛光液，其它如三氧化二铬、氧化错、氧化镁及铜离子抛光液已很少使用，这里不作介绍。二氧化硅抛光液一般由50~100nm 的二氧化硅颗粒的溶胶或凝胶和碱性的水溶液的体系组成。为改善硅片表面性能和稳定抛光液的颗粒分散性和悬浮性，还可掺入一些添加剂。抛光液中二氧化硅固体浓度一般在2%~10%。抛光工艺中有的要求粗抛，有的要求精抛，故有粗抛液和精抛液之分。粗抛液颗粒尺寸稍大些,pH 值一般在9.0~9.5;精抛液颗粒尺寸稍小些,pH 值为10.5~11.0。