顾长志，男，1964年6月出生，是中国科学院物理研究所的技术部主任、微加工实验室主任以及研究员、博士生导师。他在1997年获得吉林大学理学博士学位后，曾在德国夫琅和费（Fraunhofer）研究所和柏林自由大学物理系进行合作研究。

顾长志的主要研究方向包括信息功能薄膜（如宽带隙与导电薄膜）的制备、物性及其在亚微米/纳米尺度人工结构与器件的应用。他的研究涵盖了这些薄膜材料的定向生长、电子学特性、场发射、微/纳电子与敏感器件的研制等方面。

顾长志在薄膜材料的制备、特性和应用方面取得了显著的创新成果。他成功地将金属酞青和卟啉LB膜沉积到场效应晶体管上，从而开发出了具有高灵敏度和稳定性的气体和湿度传感器。他还深入研究了影响金刚石薄膜热导率的因素，并成功制备出高导热性能的金刚石膜，将其应用于大功率半导体器件。此外，通过两种新的方法，他成功制备了SOD（硅碳复合材料），并研发了相应的抗辐射、耐高温集成电路。顾长志还发现，氢离子轰击可以有效改善金刚石核的晶粒取向和促进大面积均匀生长纳米金刚石膜。在他的带领下，团队开展了广泛的薄膜材料人工微结构与器件的研究工作。

顾长志主持或参与了多个重要的科研项目，其中包括国家“863”项目“高质量金刚石膜及电子学应用研究”，担任该项目的课题组长。他还作为主要参与者参加了国家“973”项目“材料在纳米尺度的原位测量”。同时，他是国家自然科学基金委员会创新研究群体科学基金“轻元素极限功能薄膜材料的外延生长与反生长微观机理和原子尺度上的控制的研究”的参与者之一，并且也承担了基金委面上基金的相关研究工作。顾长志的研究重点在于宽带隙薄膜的定向生长、电子学特性以及其他相关领域的探索。

顾长志在其学术生涯中发表了超过100篇论文，并拥有7项发明专利。他的研究成果得到了国家级的认可，共有6项成果通过了国家级的鉴定验收。他曾荣获1996年吉林省青年科技奖，并在2000年被授予教育部“跨世纪人才”称号。2001年，顾长志入选中国科学院百人计划，以表彰其在科学研究领域的卓越贡献。

顾长志目前担任中国科学院物理研究所技术部主任、微加工实验室主任、研究员、博士生导师等多个重要职务。