沈学础，1938年2月28日生于溧阳市，物理学家，中国科学院院士，中国科学院上海技术物理研究所研究员，复旦大学物理系教授，上海大学理学院名誉院长。

1958年沈学础毕业于复旦大学物理系；1978年，沈学础赴德国期图加特马普协会固体物理研究所作访问研究。1995年当选为中国科学院院士。

2006年，沈学础获得国际红外毫米波和太赫兹会议颁发的巴顿奖。

沈学础主要从事固体光谱和固体光谱实验方法等方面的科学研究和教学，并取得多项重要成果。

1938年2月28日，沈学础出生于江苏阳。

1958年，毕业于复旦大学物理系。

1995年，当选为中国科学院院士。曾任上海大学理学院院长，中国科学院红外物理国家重点实验室主任等职。

• 科研综述

沈学础从事凝聚态光谱及其实验方法研究。发展了光学补偿双光束傅里叶变换红外光谱方法，发现了一定条件下某些固体存在声学局域模。发展了傅里叶变换光热电离谱方法，使硅中浅杂质检测灵敏度有数量级的提高。提出和首次实现了带间跃迁、激子跃迁诱发并共振增强调制和回旋共振光谱方法。发展了高压下调制吸收光谱测量方法。对超晶格、量子阱及其他低维结构、半磁半导体和非晶半导体以及固体中杂质等作了大量光谱研究，尤注重其中量子态跃迁、量子态杂化耦合等微观量子过程和量子互作用。

沈学础提出并首先实现光调制共振激发谱、高压下调制吸收光谱、带间跃迁增强与诱发回旋共振，使一些弱固体光谱现象观测研究成为可能。发现半导体晶体中新一类局域化振动模，发展了固体中杂质振动的理论；发现半磁半导体中d电子和p电子态间杂化，首先测定塞曼杂化态波函数的混和与重组，将固体中微观杂化混和的实验与理论研究推进到新高度；最先观测到和测定了GaAs调制掺杂多层结构的量子化能级，实验揭示了这种结构确可形成超晶格和量子阱；将硅光热电离光谱灵敏度提高了1—2个数量级，成为超纯材料浅杂质研究检测的首选方法之一，发现硅中两个新施主中心和多条与杂质高激发态相关的新谱线。

沈学础关于InGaAs/GaAs中两类超晶格电子态共存、nipi结构光生载流子的长寿命、磁场下杂质电子—光学声子强耦合互作用等发现和研究结果，也有重要意义。因以上成果两次获国家自然科学奖，两次获中国科学院自然科学一等奖，以及其它多项成果奖励，此外，沈学础还在红外物理国家重点实验室建设中取得成果，两次获国家“金牛奖”。多次获国家自然科学奖和中国科学院自然科学奖一等奖等。

• 学术论著

沈学础撰有《半导体光学性质》、《半导体光谱和光学性质》等。发表论文200多篇，并被国外同行广为引用，包括被编写入国外20多种专著、手册、教科书。著有《半导体光学性质》一书，并与其他著者合作，出版著作两本，编辑会议文集三册。

沈学础已培养博士研究生30余名。

1988年获“国家有突出贡献中青年专家”称号。

上海市高温超导重点实验室学术委员会副主任