内存延迟受到多种因素的影响，包括内存芯片的
速率、处理器的主频以及它们之间的通信路径等。当处理器需要访问位于内部高速
缓存之外的数据时，内存芯片可能需要多个周期才能完成数据的提取和传输，从而导致应用程序在此期间无法处理其他任务。
内存延迟可以用一组连续的阿拉伯数字来表示，例如“3-4-4-8”。这些数字分别对应于内存的不同延迟指标，其中较小的数字通常表示更好的性能。然而，这些数字并不是独立存在的，而是相互关联并共同影响内存的整体性能。因此，寻找合适的延迟配比对于提升内存性能至关重要。
内存延迟由多个组成部分组成，包括CAS Latency（CL）、RAS to CAS Delay（tRCD）、RAS Precharge（tRP）和Act-to-Precharge Precharge Delay（tRAS）。这些指标各自代表了内存工作的不同阶段，如数据的行地址传输、列地址激活以及行地址控制器的预充电时间等。
尽管较低的CL设置可以带来更快的内存性能，但这并不总是绝对的。其他因素，如处理器的高速
缓存效率、数据访问模式以及大规模数据读取的情况，都会影响内存的实际性能。因此，选择适合特定系统的内存配置非常重要。
在选购内存时，应尽可能选择具有相同CL设置的产品，以确保系统能够以最佳速度运行。混合使用不同CL设置的内存可能会导致系统性能下降，因为系统将采用较慢的内存作为基准。