张兴旺，男，博士，研究员，博士生导师。1972年出生于怀宁县，分别于1994和1999年从兰州大学物理系获学士和博士学位。现任国际空间研究委员会中国委员会（CNCOSPAR）委员、中国真空学会薄膜专业委员会委员、中国空间科学学会微重力科学与应用研究专业委员会委员、中科院材料领域专家组专家。

1994和1999年从兰州大学物理系获学士和博士学位。

1999至2001年在香港中文大学电子工程系进行博士后研究，

2001至2004年任乌尔姆大学固体物理系博士后及洪堡学者，

于2004年7月入选中科院“百人计划”，加入中科院半导体材料重点实验室。

二维原子晶体材料与器件，光伏材料与器件，宽带隙半导体材料与器件。

发展了一种制备大面积、高质量六方氮化硼（h-BN）二维原子晶体的新方法，制备出毫米尺寸h-BN单晶畴。制备出光电转换效率超过21%的平面异质结钙钛矿电池，被中国太阳能电池的最高纪录表格收录，也是世界上同类电池结构中的最高效率。首次成功制备出异质外延生长的立方氮化硼（c-BN）薄膜，相关结果在Nat.Mater.上发表后得到国际同行科学家的广泛关注和高度评价，为实现c-BN薄膜作为高温电子材料奠定了基础。

已主持或承担科技部863、973计划、国家重点研发计划、国家自然科学基金等科研课题20余项，在Nat.Mater.,Nat.能量,Nat.Commun.Adv.Mater.,等国内外杂志发表SCI论文140余篇，论文被他引2300余次，获授权发明专利20项；曾获北京市科学技术进步二等奖及中科院优秀研究生指导教师奖，指导的研究生4人获中科院院长奖，5人获中科院优秀毕业生，多人次获国家奖学金。