磷化（铟 phosphide），化学式为InP，是由铟和磷构成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，属于第二代半导体材料，常温下呈银灰色固体。

磷化铟具有闪锌矿型晶体结构，熔点为1070°C。磷化铟多晶合成的方法一般包括水平珀西·布里奇曼法和直接注入法。单晶制备主要采用垂直布里奇曼法（VB）、垂直温度梯度凝固法（VGF）和液封直拉法（LEC），单晶生长方法主要有高压液封直拉法（HPLEC）及其改进技术和温度梯度凝固法两种。

磷化铟晶体具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高等诸多优点，可广泛应用于光通信、高频毫米波器件、光电集成电路和外层空间用太阳电池等领域。典型的磷化铟基光电子器件有光波导器件、激光器、探测器和太阳电池等，微电子器件有高电子迁移率晶体管（HEMT）、毫米波和微波器件、高速数字集成电路及异质结双极晶体管（HBT）等。这些器件已成为新一代光纤通信、高精度航空武器系统、空间探测和空间卫星系统等的关键部件。

2017年世界卫生组织国际癌症研究机构公布的致癌物清单中，磷化铟被列为2A类致癌物。

性状：沥青光泽的深灰色晶体。

熔点：1070℃。纤锌矿结构，常温下带宽（Eg=1.35eV）。熔点下离解压为2.75MPa。

溶解性：极微溶于无机酸。

介电常数：10.8

电子迁移率：4600cm2/(V·s)

空穴迁移率：150cm2/(V·s)

制备：具有半导体的特性。由金属铟和红磷在石英管中加热反应制得。

用作半导体材料，用于光纤通信技术。