陈南翔
长江存储科技有限责任公司董事长、代理首席执行官
陈南翔,男,1961年出生于北京,北京师范大学低能核物理研究所理学博士,中国半导体行业协会理事长,长江存储科技有限责任公司董事长、代理首席执行官。
1989年起,陈南翔担任北京大学计算机科学技术系讲师。1992年起,陈南翔先后任职于德国弗朗霍夫协会集成电路研究所和德国马普协会微结构研究所等海外研究机构。2002年起,陈南翔历任华润微电子(控股)有限公司副总经理、董事;无锡华润晶芯半导体有限公司总经理;华润微电子研发中心总经理、常务副董事长等职务。2020年9月,陈南翔担任紫光集团联席总裁。2021年5月,陈南翔进入长江存储,出任公司执行董事长。2023年7月,陈南翔出席“2023世界半导体大会”并发言。
陈南翔曾先后发表《氧化多孔硅隔离技术研究》《ELO/5OI 膜上短沟道 MOSFET 的研究》等学术论文40余篇。
人物经历
早年经历
陈南翔1961年出生于北京,先后获得电子科技大学半导体专业工学学士、航天711所大规模集成电路专业工学硕士和北京师范大学低能核物理研究所理学博士学位。
工作经历
1989年起,陈南翔担任北京大学计算机科学技术系讲师。1992年至1994年期间,陈南翔任德国Fraunhofer协会集成电路技术研究所洪堡基金会研究学者;于1994年至1995年期间任德国Max-Planck协会微结构研究所高级客座科学家;于1995年至2002年期间任美国加州硅谷Supertex, Inc技术与研发部主管。2002年至2008年期间,陈南翔历任华润微电子(控股)有限公司副总经理、董事。2004年起,陈南翔任无锡华润晶芯半导体有限公司总经理,后于2008年至2016年期间任发行人副总经理,于2013年至2014年期间兼任华润微电子研发中心总经理。
2016年起,陈南翔历任任华润矽威科技(上海)有限公司总经理,无锡华润微电子有限公司董事长,无锡华润矽科微电子有限公司董事长,润科投资管理(上海)有限公司董事等职务。2019年起,陈南翔先后担任华润微电子董事、常务副董事长、代理总经理职务。
2020年8月,陈南翔辞去华润微常务副董事长职务,同年9月,陈南翔出任紫光集团联席总裁。2021年5月,陈南翔进入长江存储,出任公司执行董事长。2023年7月,陈南翔出席“2023世界半导体大会”并发言;同年10月,陈南翔在中国半导体行业协会第八届会员代表大会上,当选中国半导体行业协会理事长。2024年7月,陈南翔在接受中国国际电视台采访时,对中国的芯片产业发展情况作出分析评价。
学术成就
陈南翔曾先后发表学术论文40余篇。
社会职务
人物言论
关于华润微上市科创板
2020年,陈南翔就华润微上市科创板发表评价。陈南翔表示,科创板给华润微发展添加了新助力,科创板对于中国半导体产业发展将发挥很大作用。陈南翔说:“我们对科创板的信心也很大。而且,上交所在筹备科创板过程当中,无论专业性还是创新性,做得非常好。我们感觉到这一批人不是仅仅做一个新的交易板块,而是要使科创板符合全球化资本市场的特征,做成一个高效率、专业性强的事情。科创板注重的几大领域包括新一代信息技术领域,我们正好属于这一块,符合条件,又看到上交所的高效率,使得我们更加有信心。”
关于Semicon China 2024展会
2024年3月20日,中国半导体行业协会理事长陈南翔在Semicon China 2024上表示,对产业未来的发展充满信心。中国半导体行业协会的近1000名会员单位,有很多是国际企业。中国的半导体市场属于全世界,全世界的半导体市场也属于中国,这也印证了2024年展会的主题:跨界全球·心芯相联。
关于中国半导体行业发展
2024年7月,陈南翔在接受中国国际电视台媒体采访时,对中国的芯片产业发展情况作出分析评价。陈南翔表示,对于当前中美芯片技术的差距和优势,已没有“共识”。中国在发展集成电路的进程中走了很多的弯路。本质上中国想要发展的是一种(芯片)产业,但是在过去,这一事情是交给大学、研究院、科学院来做,他们把这一研究做的更学术性,而中国现在需要的是一种产业,需要创新的产业、创新的服务以及创新的商业模式,从而转变为最经济的商业价值,这是两种完全不同的路径。陈南翔强调,中国芯片产业目前还没有达到爆发式增长,但那一天终究会到来,未来3-5年将看到这一进步。
参考资料
陈南翔.新浪财经.2024-07-22
陈南翔.FPDCHINA.2024-07-22
氧化多孔硅隔离技术研究.国家科技图书文献中心.2024-07-22
ELO/5OI 膜上短沟道 MOSFET 的研究.国家科技图书文献中心.2024-07-22
大剂量氧离子注入形成SOI结构的研究 .国家科技图书文献中心.2024-07-22
两步退火对 SIMOX 结构形成的影响.国家科技图书文献中心.2024-07-22
短沟道薄硅膜 CMOS/SIMOX 电路的研究.国家科技图书文献中心.2024-07-22
超高温退火(1400℃)对 SIMOX 结构性能的影响.国家科技图书文献中心.2024-07-22
SIMOX:氧离子注入隔离技术.国家科技图书文献中心.2024-07-22
SIMOX结构的低温(550℃)退火形成.国家科技图书文献中心.2024-07-22
目录
概述
人物经历
早年经历
工作经历
学术成就
社会职务
人物言论
关于华润微上市科创板
关于Semicon China 2024展会
关于中国半导体行业发展
参考资料