杨思泽，男，1947年2月出生于台湾省台北市，中国科学院物理研究所研究员，博士生导师。他的研究领域主要涉及等离子体物理及其在材料科学中的应用，包括真空弧结合空心阴极弧材料表面改性、高能量密度等离子体枪装置及材料处理、管件内壁等离子体注入材料改性、等离子体电解沉积制备功能性薄膜、等离子体生物医用材料表面改性及生物相容性研究等。他曾在国际学术刊物上发表论文200余篇，获得国家专利16项，并获得部级科技进步三等奖。

1964年9月-1968年6月，台湾成功大学机械工程系，获工学学士；

1968年9月-1970年6月，台湾清华大学原子科学研究所，获工学硕士学位；

1972年9月-1978年6月，美国伯克利加利福尼亚大学核工程系，核聚变与等离子体物理专业，获工学博士学位。

1970年7月-1971年6月，台湾空军通信电子学校，少尉教官，讲授高等数学；

1971年7月-1972年7月，台湾原子能委员会技术处，技术专员，技正；

1972年9月-1978年6月，美国伯克利加州大学，助教，研究助理；

1978年7月-1979年8月，Kentex Co., Berkeley, CA, USA，高工；

1979年12月-迄今，中国科学院物理研究所，副研究员，研究员；

1982年-1984年，中国科学院合肥等离子体研究所热电子环磁镜实验项目负责人；

1984年-迄今，中国科学院物理所“波与等离子体相互作用”、“电子回旋波等离子体共振加热研究”、“等离子体与材料相互作用研究”等课题组组长。

真空弧结合空心阴极弧材料表面改性研究、高能量密度等离子体枪装置及材料处理研究、管件内壁等离子体注入材料改性研究、等离子体电解沉积制备功能性薄膜、等离子体生物医用材料表面改性及生物相容性研究、大气压条件下介质阻挡放电等离子体对植物种子处理的研究。

成功地将等离子体核聚变领域的一些原理和机制用于材料表面改性领域，研制开发出许多具有自主知识产权的装置和技术。首次利用高能量密度等离子体束（PHEDP）法制备出类金刚石、氮化钛、氮化硼等薄膜，在陶瓷表面金属化方面做过许多开创性的工作。首次将等离子体源离子注入（PSII）技术应用与材料内表面改性处理，并对其特性进行了系统地实验研究。在国际著名学术刊物（SCI）上发表论文200余篇，获国家专利16项，获得部级科技进步三等奖1次，国际会议邀请报告14次。