卓以和（Alfred Yi Cho，1937年7月10日—）是一位出生于北京的电机工程学学家，现任朗讯（AT\u0026T公司）贝尔实验室半导体研究室主任、半导体研究所所长、教授。1955年，卓以和赴美留学，1960年从美国伊利诺伊州大学毕业，1961年获得硕士学位，1968年获得博士学位。他是美国科学院院士（1985）、美国工程院院士（1985）、美国科学与艺术院院士（1989）和中国科学院外籍院士（1996）。卓以和主要从事分子束外延、人工微结构材料生长和新型器件研究领域的研究。他是分子束外延技术的鼻祖，该技术是他在20世纪60年代末在贝尔实验室开发的。他还与Federico Capasso共同发明了量子级联激光器。他对Ⅲ－V族化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延和人工结构的量子阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。

1937年，卓以和出生于北京。

1949年，来香港特别行政区，曾就读于培正中学。

1955年，赴美留学。

1960年，毕业于美国伊利诺伊州大学。

1961年，获伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校硕士学位。

1968年，获伊利诺伊大学博士学位。

1985年，当选为美国科学院院士；同年，当选为美国工程院院士。

1989年，当选为美国科学与艺术院院士。

1996年，当选为中国科学院外籍院士。

2009年2月11日，美国专利及商标局公布2009年度入选“全国发明家名人堂”的名单，卓以登上“美国发明家名人堂”。

2014年，卓以和被聘为第四届海外专家咨询委员会委员。

卓以和对Ⅲ－V族化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延和人工结构的量子阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。用研制的新材料，最先研究成功10多种极为重要的、性能优异的新型微波高速电子器件和光电子器件。他又领导AT\u0026TBell实验室半导体研究所的合作者，开创性地研制成功量子阱级联式新型激光器，被认为是半导体激光器发展中的又一个里程碑。

卓以和认为要在学业上取得成功，“要有充足的自信心，并坚持向着你的目标努力才能使你的工作成功；要保持乐观精神，多看一下每一件事的正面。另外，还要做你喜欢的事，这样才能在做事的过程中找到乐趣。”

卓以和直言不讳地指出，中国评审制度要从四方面改善：不是只以发表学术期刊文章数量为标准；真正创新基础研发不一定要在科学期刊上发表；不能期待要在短期内就能赚大钱，想要在三年内把所有钱回收；科学规划和评审要多吸收无切身利害关系的科学家参加，防止利益交换。

他还谈到令人担忧的新生代研发文化：年轻一代的研究员只想要知道，“我”做了这个对我有什么利益，能不能帮我升官发财，工作时间只是早9点到晚5点，有太多时间玩，对研发没有一种愿投一生努力与热爱的态度。

卓以和的父亲卓宜来毕业于哥伦比亚大学，曾在中国燕京大学教授政治学，并为著名银行家。

中国科学院评：卓以和是国际公认的分子束外延、人工微结构材料生长和新型器件研究领域的奠基人与开拓者，对中国发展分子束外延技术极为关切，给予了关键性指导，与中国同行建立了深厚友谊，对促进中美两国学术交流，提高中国在国际学术界的地位和影响作出了重要贡献。

中国网评：在中国传统文化礼教影响下，卓以和有着温文敦厚的言行举止及谦和无私的个性，因而受到同事们一致的尊崇爱戴。