闪存存储（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的
字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。
闪存（flash memory，有时称为flash RAM）是一种不断供电的非易失性存储器，它能在称为块（block）的存储单位中进行删除和改编。闪存是电可擦写可编程
只读存储器（EEPROM）的变体，EEPROM与闪存不同的是，它在字节层面上进行删除和重写，这样EEPROM就比闪存的更新速度慢。通常用闪存来保存控制代码，比如在个人电脑中的基本输入输出系统（BIOS）。当需要改变（重写）
输入输出系统时，闪存可以以块（而不是
字节）的大小输写，这样闪存就更容易更新。但另一方面，闪存不像
随机存取存储器（RAM）一样有用，因为随即存取存储器可以在字节（而不是块）层面上设定地址。
闪存（flash memory）这个名字是因为
微芯片被组织来使存储单元的一部分能在一瞬间（或闪电般的）被删除得出的。这种删除是通过隧道效应（Fowler-Nordheim tunneling）进行的，在隧道效应中
电子刺破薄薄的一层
绝缘材料来从每个存储单元的浮栅
中国移动电荷。
英特尔提供了一种形式的闪存，它在每个存储单元保存2比特（而不是1比特），这样能够使存储量翻倍而无需增加相应的价格。
存储瓶颈的具体位置通常决定了在什么地方部署闪存存储技术（例如在主机端或是
磁盘阵列端），但存储瓶颈和具体的使用案例关系并不大，但却和现有的存储基础架构戚戚相关。不管怎样，部署位置的判断可以影响到所使用的闪存存储类型（固态存储驱动器或是闪存插卡，如PCIe的插卡），以及将其部署为
CPU缓存或单独的存储层。闪存存储的部署类型又决定了所需的容量（分层模式会比闪存模式需要更多容量），而成本和预算又会对容量产生限制。