增层是在晶圆表面形成薄膜的加工工艺。分析图4.4的简单MOS晶体管可看出在晶圆表面生成了许多的薄膜。这些薄膜可以是
绝缘体、半
导体或导体。它们是由不同的材料组成，使用多种工艺生长或淀积的。
这些主要的工艺技术是生长二氧化硅膜和淀积不同种材料的薄膜。通用的淀积技术是
化学汽相淀积（CVD） 、蒸发和溅射。图4.6列出了常见的薄膜材料和增层工艺。其中每项的具体情况在本书的工艺章节各有阐述。各种薄膜在器件结构内的功用在第16章进行解释。
层别(Layers) 热氧化工艺(Thermal Oxidation) 化学汽相淀积工艺(Chemical Vapor Deposition) 蒸发工艺 (Evaporation) 溅射工艺(Sputtering)
绝缘层 (Insulators)
二氧化硅(
硅 Deioxide) 二氧化硅(Silicon Dioxide) 氮化硅(Silicon Nitrides) 二氧化硅 (Silicon Dioxide)
一氧化硅(Silicon Monoxide)
导体层 (conductors) 铝 (Aluminum) 铝/硅合金(Aluminum/
硅)
铝铜合金 (Aluminum/
铜) 铬铁合金 (Nichrome) 黄金 (Gold) 钨 (
钨) 钛 (
钛) (
钼) 铝/硅合金(Aluminum/Silicon) 铝铜合金 (Aluminum/Copper)