班士良，蒙古族，1956年1月生，中国共产党党员，曾任内蒙古大学校长助理、研究生院常务副院长。2011年11月2日任内蒙古大学党委委员，内蒙古大学副校长。中国物理学会理事、高等学校物理学类专业教学指导分委员会委员（2006-2010）、中国物理学会半导体物理专业委员会委员、全国热力学与统计物理教学研究会秘书长、内蒙古自治区物理学会理事长、内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室主任。

班士良于1978年3月至1981年12月在内蒙古大学物理学专业攻读学士，1982年3月至1985年12月在内蒙古大学理论物理专业攻读硕士学位。1996年9月至1999年7月在内蒙古大学理论物理专业攻读博士学位。1988年9月至1989年9月作为访问学者在加拿大舍布鲁克大学物理系学习，1997年8月至1998年8月在美国西佐治亚州立大学物理系担任访问学者。自1985年12月起，班士良在内蒙古大学物理系、理工学院物理系、物理科学与技术学院任教。1987年晋升为讲师，1992年晋升为副教授，1995年晋升为教授。1995年3月至1996年9月任内蒙古大学物理系副主任，1999年10月至2008年2月任内蒙古大学理工学院院长，2008年2月至2009年3月任内蒙古大学物理科学与技术学院院长，2009年3月至2011年11月任内蒙古大学研究生院常务副院长，2008年5月至2011年11月任校长助理，2011年11月起担任内蒙古大学副校长。

1、半导体异质结构和纳米材料中电子态和载流子输运等性质及其电子声子相互作用等问题。

2、新型薄膜太阳电池及材料的研制、机理分析和应用研究。

1.  国家自然科学基金 国家基础科学人才培养基金资助项目，起止时间：2001年1月-2005年12月。

2.  国家自然科学基金 内蒙古大学数学物理学基地，起止时间：2008年1月-2010年12月。

3. 国家自然科学基金 内蒙古大学数学物理学基地可持续发展条件建设，起止时间：2012年1月-2015年12月。

1、Y. Qu and S. L. Ban，Ternary mixed crystal effect on electron mobility in a strained wurtzite AlN/GaN/AlN quantum well with an InxGa1-xN nanogroove, J. APPL Phys. 110, 7(2011.7)

2、S. H. Ha，S. L. Ban and J. Zhu，Screened excitons in strained wurtzite AlxGa1−xN/GaN/AlyGa1−yN quantum wells， Phys. Status. Solidi C, 8（1）34-37(2011.1)

3、J. Zhu, S. L. Ban, and S. H. Ha, Binding Energies of Excitons in Strained [0001]-oriented Wurtzite AlGaN/GaN double quantum wells, Phys. Status. Solidi B, 248（2），384-388(2011.2)

4、 屈媛, 班士良，纤锌矿氮化物量子阱河南中光学集团有限公司声子模的三元混晶效应,物理学报，59（7），(2010.07)

5、M. Zhang and S.L. Ban, Screening influence on the Stark effect of impurity states in strained wurtzite GaN/AlxGa1-xN heterojunctions, Chinese Physics B, 18(12), (2009.12)

6、M. Zhang and S.L. Ban, 压强 influence on the Stark effect of impurity states in a strained wurtzite GaN/AlxGa1-xN heterojunction, Chinese Physics B, 18(10), (2009.10)

7、Y. Qu and S. L. Ban,Electron mobility in wurtzite nitride quantum wells limited by optical-phonons and its 压强 effect, Eur. Phys. J. B (2009.6)

8、G. J. Zhao, X.. X. Liang and S. L. Ban, Polaron effect on the binding energies of excitons in quantum wells under hydrostatic pressure, Physica Status Solidi C, 6(1), (2009)

9、X. P. Bai and S. L. Ban, Hydrostatic 压强 effect on the electron mobility in a ZnSe/Zn1-xCdxSe strained heterojunction，Chinese Physics, 17(12), (2008.12)

10、J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Confined LO-phonon-assisted magneto tunneling in a parabolic quantum well with double barriers, Physica E, 40(8), (2008)

11、S. H. Ha and S. L. Ban，Binding energies of excitons in a strained wurtzite GaN/AlGaN quantum well influenced by screening and hydrostatic 压强, J. Phys.: Condens. Matter, 20, (2008.02)

12、X. M. Jia and S. L. Ban, Optical phonon influence on the mobility of electrons in wurtzite and zincblende AlN/GaN quantum wells, J. Physics: Conference Series, (4 Pages) (2007.12)

13、G. D. Hao, S. L. Ban and X. M. Jia, 压强 effect on the mobility of electrons in AlAs/GaAs quantum wells, Chinese Physics, 16(12), (2007.12)

14、J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, 动力学 of spin-dependent tunneling through a semiconductor double-barrier structure, J. Appl. Phys. (2007.10)

15、X. P. Bai and S. L. Ban, Electron mobility in a realistic AlxGa1-xAs/GaAs heterojunction potential under pressure, Eur. Phys. J. (2007.08)

16、G. J. Zhao, X.. X. Liang and S. L. Ban, Effect of hydrostatic 压强 on the binding energies of excitons in quantum wells, International Journal of Modern Physics B ,(2007.07)

17、J. Gong, X. X. Liang, and S. L. Ban, Tunneling 时间 of electronic wave packet through a parabolic quantum well with double barriers, Phys. Status Solidi (b), (2007.06)

18、S. H. Ha and S. L. Ban, Screening influence on the binding energies of excitons in quantum wells under pressure, AIP Conference Proceedings, (2007.06)

19、Z. W. Yan, S. L. Ban and X. X. Liang, Polaron properties in ternary group-III nitride mixed crystals, AIP Conf. Proc. (2006)

20、X. L.Yu, 第二人生Ban, Cyclotron resonance of a polaron in a realistic heterojunction and its 压强 effect, Eur. Phys. J. (2006.08)

21、J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Confined LO-phonon-assisted tunneling in a parabolic quantum well with double barriers, J. Appl. Phys.,100（2）,（2006.7)

22、Z. Z. Guo, X. X. Liang and S. L. Ban, Interface excitons in a type-Ⅱ ZnSe/ZnTe heterojunction under hydrostatic 压强: the triangle potential well approximation, Physica Scripta, （2006.2）

23、Z. W. Yan, X. X. Liang and S. L. Ban, Intermediate-coupling poltarons in GaN, AlN, and InN, AIP Conference Proceedings, (2005)

24、S. L. Ban and S. T. Wang, Magnetic field effect on bound polarons in semiconductor heterojunctions under pressure, AIP Conference Proceedings, (2005)

25、J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Resonant tunneling in parabolic quantum well structures under a uniform transverse magnetic field, Chinese Physics, (2005)

26、Z. W. Yan, S. L. Ban and X. X. Liang, Intermediate-coupling polaron properties in wurtzite nitride semiconductors, Physics Letters A,(2004)

27、X. X. Liang and S. L. Ban, Optical vibration modes and electron-phonon interaction in ternary mixed crystals of polar semiconductors,Chinese Physics,( 2004.01)

28、Z. W. Yan, S. L. Ban and X. X. Liang, 压强 dependence of electron- IO- phonon interaction in multi-interface heterostructure systems, Int. J. of Modern Physics B, (2003. 03)

29、Z. W. Yan, S. L. Ban and X. X. Liang, Effect of electron-phonon interaction on surface states in 锌blende GaN, AlN, and InN under pressure, Eur. Phys. (2003)

30、G. J. Zhao, X. X. Liang and S. L. Ban, Binding energies of donors in quantum wells under hydrostatic 压强, Physics Letters A 319,(2003)

31、Z. Z. Guo, X. X. Liang and S. L. Ban, Pressure effect on the interface excitons in a type-Ⅱ ZnTe/CdSe heterojunction, Modern Phys. Lett. B,17 (27-28), (2003)

32、F. Q. Zhao, X. X. Liang and S. L. Ban, Influence of the spatially dependent effective 质量 on bound polarons in finite parabolic quantum wells, Eur. Phys. (2003)

33、Y. L. Cao, S. L. Ban and G. J. Zhao, The effect of Hydrostatic 压强 on bound polarons in polar semiconductor heterojunctions, Modern Physics Letters B, (2003)

34、G. J. Zhao, X. X. Liang and S. L. Ban, Binding energies of excitons in GaAs/AlAs quantum wells under pressure, Modern Physics Letters B, (2003)

35、Z. Z. Guo, X. X. Liang and S. L. Ban, 压强induced increase of exciton-LO-phonon coupling in a Zn1-xCdxSe/ZnSe quantum well, Phys. Stat. (2003)

36、Z. Z. Guo, X. X. Liang and S. L. Ban, Pressure tuning of strains in Zn1-xCdxSe/ZnSe (x<0.1) single quantum wells, Phys. Lett. A, 306, (2002)

37、J. Gong, S. L. Ban and X. X. Liang, Resonant tunneling in semiconductor multibarrier heterostructures, Int. J. of Modern Physics B, (2002)

38、X. X. Liang and S. L. Ban, Note to electron-phonon interaction in polar ternary mixed crystals, Journal of Luminescence 94-95, (2001)

39、F. Q. Zhao, X. X. Liang and S. L. Ban, 能量 levels of a polaron in a finite parabolic quantum well, I.Jackie McLeanPhys B 15(5),(2001)

40、Z. W. Yan, X. X. Liang and S. L. Ban, IO-phonon-assisted tunneling in asymmetric double-barrier structures, Phys Rev B64(12),(2001)

41、X. X. Liang, Z .P. Wang and S. L. Ban, Bound polarons in ternary mixed crystals, Journal of Luminescence, (2000)

42、S. L. Ban, J. E. Hasbun and X.X. Liang, A novel method for quantum transmission across arbitrary potential barriers, Journal of Luminescence, (2000)

43、S. L. Ban and J. E. Hasbun, Bound polarons in a polar semiconductor heterojunction, Phys. REV (1999)

44、S. L. Ban and J.E.Hasbun, Donor level in a quasi- two dimensional heterojunction system, Solid State Commun. (1999)

45、S. L. Ban and J. E. Hasbun, Interface polarons in a realistic heterojunction potential, Eur. Phys. (1999)

46、J. E. Hasbun and S. L. Ban, Optical-phonon scattering in quasi-two-dimensional heterojunction systems, Phys. REV(1998)

47、S. L. Ban and X. X. Liang, Interface polarons in a heterojunction with triangular bending-band, Eur. Phys. J.(1998)

48、X. X. Liang, S. L. Ban and R. S. Zheng, Effect of optical phonons on the binding 能量 of an exciton in a quantum well, J. Luminescence, (1997)

49、S. L. Ban, X. X. Liang and R. S. Zheng, Cyclotron resonance of two-dimensional interface polarons, Phys. REV (1995)

50、G. H. Yun, J. H. Yan, S. L. Ban and X. X. Liang, Properties of perfect confined modes and interface modes of spin- waves in a ferromagnetic bilayer system, Surf. Sci. (1994)

51、S. L. Ban, X. X. Liang and R. S. Zheng, Influence of interface phonons on a polaron near a polar semiconductive heterointerface, Phys. Lett A, (1994)

52、R. S. Zheng, S. L. Ban and X. X. Liang, Polaronic effect on the electron 能量 spectrum in a quantum well, J Phys. (1994)

53、R. S. Zheng, S. L. Ban and X. X. Liang, Effect of the interface and bulk optical phonons on the polarons in a quantum well, Phys. REV (1994)

54、S. L. Ban, R. S. Zheng, X. M. Meng and L. Y. Zhao, 温度 dependence of the N-dimensional polaron, J Phys. (1993)

56. S. W. Gu and S. L. Ban, The ground state effective Hamiltonian of the strong coupling One- dimensional optical exciton, Phys. Stat. (1984)

1、1996 年获政府特殊津贴。

2、1998年入选自治区“321人才工程”第一层次人选。

3、1998年，异质结构材料中电子与声子作用及相关问题的理论研究，内蒙古自治区科技进步三等奖。

4、2001年入选自治区高等教育“111工程”第一层次人选。

5、2002年入选自治区“新世纪321人才工程”第一层次人选。

6、2002年被授予“高等学校优秀骨干教师”。

7、2002年被授予“内蒙古自治区有突出贡献中青年专家”称号。

8、2003年被授予“优秀留学回国人员”称号。

9、2003年被评为自治区“十佳”优秀青年学科带头人。

10、2005 年获宝钢优秀教师奖并被评为自治区劳动模范（先进工作者）。

11、2005年，“热物理”系列课程教学改革与建设，内蒙古自治区教学成果二等奖。

12、2008年获自治区高等学校教学名师奖。

11、2009年，压力下半导体异质结构中电子 — 声子相互作用及相关问题，内蒙古自治区（首届）自然科学奖三等奖（2007年度）。

12、2009年，国家精品课程《统计热力学》改革与建设，内蒙古自治区教学成果一等奖。

13、2009年，数理科学创新型基础人才培养与数理学基地建设，内蒙古自治区教学成果二等奖。

14、2019年9月5日，被授予“全国模范教师”称号，享受省部级表彰奖励获得者待遇。