邢晓东，博士，副教授，硕士生导师。研究方向为量子材料与器件。从事III-V族半导体材料的分子束外延生长与表征研究，主要负责材料生长工艺的制定、材料制备与性能测试，并辅助进行分子束外延设备维护等。

邢晓东出生于洛阳市的叩马村。

2003.7－至今，南开大学泰达应用物理学院，从事半导体材料分子束外延生长与表征研究

2000.9－2003.7，天津大学电信学院微电子学与固体电子学专业，博士

1997.9－2000.3，天津大学天津理工大学材料科学与工程学院材料学专业，硕士

1993.9－1997.7，天津大学材料学院材料学专业，学士

（1）分子束外延生长技术

（2）量子材料与器件

（1）生长出AlGaAs/GaAs二维电子气HEMT半导体外延材料，为161000cm2/V·s，光照后的77K电子迁移率为230000 cm2/V·s，2K时电子迁移率达到1780000cm2/V·s。

（2）生长出外延层厚度为2.5mm以下的高质量InP/InP材料，电学性能为77K时电子迁移率47600cm2/V·s（磷的裂解温度为850℃），该结果是目前国际上已报道的MBE外延InP/InP材料最好结果，测试鉴定结果为Riber公司MBE Compact 21T型设备的历史最好水平。

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