力晶半导体股份有限公司
中国以半导体制作为主业的股份有限公司
力晶积成电子制造(英语:Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation),简称力积电、PSMC,是台湾从事晶圆代工的半导体制造厂,业务范围涵盖动态随机存取内存(DRAM)、非挥发性内存(Flash)制造及晶圆代工两大类别。总公司位于台湾新竹市新竹科学工业园区,创办人为黄崇仁,现任总经理为谢再居。力积电现有12晶圆厂三座(P1、P2、P3厂)及8吋晶圆厂二座,12吋晶圆厂是目前台湾产能最大的内存芯片制造公司。力晶于1994年12月创立于新竹科学园区,八十七年以科技类股票在台湾正式挂牌上柜。八十八年发行全球存托凭证,成为我国第一家在卢森堡证券交易所上市的上柜公司。截至九十六年底,力晶拥有六千一百位员工,资本额达新台币七百八十二亿元,年度营收为新台币七百七十五亿元。
发展历程
力晶半导体股份有限公司成立于1994年12月,为提升在国际市场的竞争力及达到量产的经济规模,公司设立之初,力晶即与日本三菱电机建立技术、生产与销售的策略联盟关系。1997年,力晶与旺宏电子旗下的鑫成投资公司合资成立力成科技。目前与日本的DRAM大厂Elpida缔结策略联盟,双方携手合作共同研发最尖端DRAM技术。代工方面,力晶亦为三菱集团日立制作所LSI部门合并后的新公司瑞萨电子公司(Renesas Technology Corp.)的主要代工伙伴,迈向系统晶片(System LSI)产品领域。2010年6月,力晶半导体更名为“力晶科技Inc.”(Powerchip Technology Corporation),并于2012年12月决定淡出标准型内存产销,转型为晶圆代工。2013年6月,力晶科技与金士顿科技缔结动态随机存取内存代工盟约。2013年8月,力晶科技出售瑞晶电子持股予美光科技,并取得美光-尔必达25奈米动态随机存取内存的专利授权。2014年,力晶科技成功转型为专业晶圆代工公司,偿还新台币千亿元负债。2015年10月,力晶科技与中国大陆安徽省合肥建投集团签订合资协议,于合肥市成立晶合集成电路公司。2018年9月11日,巨晶电子更名为“力晶积成电子制造Inc.”(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation)。2019年5月1日,力晶科技将晶圆厂及相关营业、业务分割让与力积电,由力积电主导晶圆代工产销,力晶科技转为控股公司。
历史沿革
1994年12月力晶半导体股份有限公司成立。
1995年03月八吋晶圆厂(8A厂)动土典礼。
1996年04月8A厂正式启用。
10月8A厂开始量产0.40微米16MbDRAM/SDRAM。
1997年12月获颁ISO9002国际品保系统验证证书。
1998年02月8A厂量产0.30微米64MbDRAM/SDRAM。
03月公司股票正式以科技类股於柜买中心挂牌上柜。
07月切入代工服务领域有成,第一家美国代工客户产品试产成功。
12月获颁ISO14001国际环境管理系统验证证书。
1999年06月与世界先进及三菱电机签订策略联盟合作备忘录,共组联盟关系。
11月发行第一次海外存托凭证,总金额达美金288,900,000元。
2000年07月举行第一座十二吋晶圆厂(P1厂)动土典礼。
2001年05月发行第一次公司债券(含海外公司债),总额达美金200,000,000元。
09月荣获经济部工业局所举办的第十二届「品质优良案例奖」。
2002年10月通过OHSAS18001职业安全卫生评估系列验证。
11月第一座十二吋晶圆厂(FabP1)正式量产。
2003年01月谢再居博士接任总经理肩负营运重责。
08月力晶与日本Elpida公司正式签订0.10、0.09微米技术转移合约。
10月第二座十二吋晶圆厂(P2厂)动土典礼。
2004年04月力晶十二吋晶圆厂代工业务正式投片。
09月力晶员工诊所开幕。
2005年01月获颁ISO/TS16949证书。
03月P2厂正式启用。
05月力晶开始以十二吋晶圆厂生产高容量快闪记忆体。
2006年01月与旺宏电子达成协议购入晶圆厂房,并命名为12M厂。
02月与瑞萨电子公司(Renesas)达成AG-AND快闪记忆体技术授权协议。
12月与尔必达签订合作备忘录,将设合资公司以新台币4,500亿元於台湾中部建置全球最大12吋晶圆DRAM厂区;双方并决定共同开发50奈米DRAM制程技术。
2007年06月力晶研发测试中心动土典礼。
10月与尔必达合资之瑞晶电子公司第一座十二吋晶圆厂(R1厂)启用。
2008年04月8A厂独立为钜晶电子公司。
4月与日商瑞萨、SHARP合资设立RenesasSP公司,共同拓展LCD驱动晶片市场。
4月第四/五座十二英寸晶圆厂(P4/P5厂)动土。
公司业务
产品与服务
力晶八吋晶圆厂(8A厂),自1995年开始运转量产,目前已达四万片的满载月产能规模。1999年力晶兴建第一座十二吋晶圆厂(12A厂),满载月产能可达四万五千片,不仅是台湾第一座为制造先进记忆体而量身打造的十二吋晶圆厂,也是全球半导体业界前三座进入量产的十二吋DRAM厂。2002年十月力晶兴建第二座十二吋晶圆厂(12B厂),预计2006年第三季进入量产,满载月产能可达四万片规模。精进技术、服务客户,成为稳定获利的世界级半导体公司,是力晶的愿景。目前,力晶以先进的科技和产能,提供标准型记忆体(DRAM)、消费性记忆体(C-RAM)、通讯用记忆体(M-RAM)、高容量快闪记忆体(Flash)、CMOS影像感测器及多元化代工服务。未来,力晶将强化国际合作策略,引进尖端科技,持续稳健投资,在快速变迁的高科技产业中不断建立竞争优势,成为与客户共创双赢的全方位记忆体供应商。
晶圆厂区
力晶积成电子制造拥有多个晶圆厂区,其中包括三座12吋晶圆厂(Fab P1、Fab P2、Fab P3)及两座8吋晶圆厂(Fab 8A、Fab 8B)。12吋晶圆厂主要位于新竹科学园区,而8吋晶圆厂则分布在新竹科学园区及苗栗县竹南科学园区。此外,力晶积成电子制造还计划在铜锣科学园区兴建Fab P5和Fab P6厂区,并与日本SBI控股株式会社合资,在日本预计2025年启动兴建工程。力晶科技还通过转投资在安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号成立了晶合集成电路公司。
目录
概述
发展历程
历史沿革
公司业务
产品与服务
晶圆厂区
参考资料