损耗角是指应力与应变间的相位差角，其单位是弧度。损耗角的正切值即为损耗因子。纯黏性流体在外力作用下会产生流动，将所有能量转化为动能，无法储存能量。然而，黏弹性流体不仅具备流动性，还能储存能量。这种流体能够储存部分外加能量并产生部分流动，当外力消失时，由于储存的能量释放，流体会部分恢复，但无法完全回到初始状态。

黏弹性流体的性质介于纯弹性固体和纯黏性流体之间，导致其应变与应力不同步，两者之间存在相位角δ。这个相位角的范围是0至π/2。当δ等于0时，代表胡克弹簧的应变响应，而δ等于π/2时表示牛顿流体的应变响应。罗伯特·胡克弹簧和牛顿流体都是黏弹性流体的特殊形式。δ越大，流体就越趋向于牛顿流体，表明其消耗能量的能力更强，因此δ被称为损耗角。

介质损耗指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应而在内部引起的能量损耗。也称作介质损失，通常缩写为介损。

在交流电场的作用下，电介质内的电流相量与电压相量之间的夹角（功率因数角Φ）的余角（δ）被称为介质损耗角，简称介损角。

介质损耗正切值，也称为介质损耗因素，简称介损角正切，是指介质损耗角的正切值。介损角正切可以通过测量试品的电流相量和电压相量来确定。介损的测量对于评估电气设备的绝缘状况是一种传统且有效的手段。绝缘能力的降低会表现为介损的增加，从而有助于分析绝缘劣化的原因，如受潮、油污、老化等。同时，介损的测量也会提供试品的电容信息，这对于检测多层电容屏中的故障情况非常重要。

功率因数是功率因数角Φ的余弦值，它反映了被测对象的总视在功率S中由有功功率P所占比重的比例。功率因数的定义公式为：

S = √(P² + Q²)

一些介损测试仪可能会以功率因数（PF: cosΦ）而非介质损耗因素（DF: tgδ）的形式显示数据。通常情况下，cosΦ \u003c tgδ，但在损耗较小时，两个值非常接近。

高压电容电桥是一种标准工具，用于通过比较标准电容器和试品电流的相位差来测量介损角正切值，以及通过对比电流幅度来测定试品电容量。为了使用电桥进行介损测量，需要携带标准电容器、升压变压器和调压器，并且连接过程较为复杂。

介损仪是一种基于电桥原理的电子仪器，结合了数字测量技术和高压电源，能够自动测量介损角正切值和电容量。常见的介损仪包括高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三个组成部分。例如，AI-6000介损仪采用了变频抗干扰技术，能够有效地抑制干扰信号，提高测量精度。

介损的测量有两种基本方法：外施法和内施法。外施法使用外部提供的高压试验电源和标准电容器进行试验，然后按照一定比例关系计算得出测量结果。内施法则使用介损仪内置的高压电源和标准器进行试验，直接获得测量结果。

介损的测量接线方式分为正接线和反接线。正接线适用于非接地试品的测量，此时介损仪的测量回路处于地电位。反接线则适用于接地试品的测量，介损仪的测量回路处于高电位，承受整个试验电压。

常用的介损仪可分为西林型和M型两类。其中，QS1和AI-6000属于西林型介损仪。

介损测量中常见的抗干扰方法包括倒相法、移相法和变频法。AI-6000介损仪采用了变频法抗干扰，并支持倒相法测量。

介损仪的准确度通常以介损角正切值（tgδ）和电容（Cx）的误差百分比表示。tgδ的误差表示为±（1%D+0.0004），Cx的误差表示为±（1%C+1pF）。前者表示相对误差，后者表示绝对误差。在校验过程中，读数与标准值之差应小于上述准确度，否则视为超出误差范围。

介损仪的抗干扰指标是在满足准确度前提下，干扰电流与试验电流最大比例的关系。比例越大，说明抗干扰性能越好。AI-6000介损仪在干扰电流达到试验电流两倍的情况下，仍然能保持规定的准确度。