郑有（1935年10月1日-），大田县人。

1957年毕业于南京大学物理学院，2003年当选为中国科学院院士，现任南京大学物理系教授。

从事新型半导体异质结构材料与器件研究。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中，发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法和新技术。基于锗硅、Ⅲ族氮化物极化能带工程，发展了多种新器件。曾获国家发明专利31项，国家自然科学二等奖1项，国家技术发明三等奖1项等。

郑有炓，1935年出生于大田县。

1957年南京大学物理系(北京大学等五校联合半导体专业)毕业。至今一直在南京大学任教。

1984-1986 年参加中、美物理学会“原子、分子和凝聚态物理合作研究计划”在美国纽约州立大学（Buffalo）物理系开展半导体低维结构研究。   1988-1992年 任国家自然科学基金半导体学科专家评审组成员。1992-2001年任国家自然科学基金半导体学科专家评审组成员、国家“ 863 计划”光电子主题专家组成员、国家“攀登计划”项目专家委员会委员。

2002-2003国家中华人民共和国国家自然科学基金委员会信息科学部第一届专家咨询委员会委员。现兼任国家重点基础研究发展计划（973计划）信息科学领域专家咨询组成员，副组长，国家半导体照明工程研发及产业联盟顾问、指导委员会委员。

2003年当选中国科学院院士。

2004年9月，出席首次在中国召开的第十二届“小颗粒与无机化合物团簇系列国际会议”(ISSPIC)。

2005年4月，由中国科学院信息技术科学部、技术科学部、数学物理学部利用在杭州市共同举办“固态照明”技术科学论坛之机，在浙江临安组织举办了由简水生、郑有炓院士主讲的题为“21世纪的节能思考”和“III族氮化物发光材料的科技问题”的报告。郑有炓院士深入浅出地阐述了半导体照明的特点，介绍了III族氮化物获取从深紫外到红外各波长光的特点，展望了半导体发光技术在照明、探测物质结构和超高密度数据存储等广泛和重要的应用前景，指出了半导体照明是半导体继微电子技术革命、光电子技术革命和射频技术革命之后，又一次造福于全人类的一次技术革命。最后，他结合当地固态照明产业的发展条件和基础，从市场前景、资金投入和研发步骤等方面出发提出了建设性的意见和建议。

2006年5月，郑有炓以“当代信息高科技的挑战”为题，为深圳市电子技术学校的全体教师及优秀学生代表作了一场生动的报告。

2007年11月，第三届电工电子课程报告论坛在南京市钟山宾馆隆重召开。郑有炓院士作了题为“现代信息技术中的微电子技术”的报告，柴天佑院士作了题为“工业自动化的发展对自动化专业人才培养的挑战”的报告，分别就信息领域中微电子技术和自动化技术的发展现状及其对电类课程教学改革提出的相应要求作了阐述。

2008年9月，参加中国光电行业高端峰会。

2009年9月，出席扬州市科技创新·产业合作（南京）推介会并致辞。

2010年1月，参加中国科学院微电子研究所“973”计划和重大科学研究计划项目“超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究”、“纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究”项目实施启动会议。

2011年2月，担任常州LED产业创新联盟顾问。

2011年4月，参加福建物构所举办的新材料产业发展与展望研讨会。

2012年7月，应邀出任世界客属第二十五届恳亲大会首席“城市骄傲”形象大使。

2013年5月，参加海峡两岸功能材料科技与产业峰会。

2014年10月，出席第十一届长三角科技论坛院士圆桌会议。

2015年9月，郑有炓院士代表41家发起机构正式宣布第三代半导体产业技术创新联盟的成立，科技部副部长曹健林，国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长、北京半导体照明科技促进中心主任吴玲为联盟揭牌。

2015年11月，第十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2015）在深圳会展中心举行了盛大的开幕式。郑有炓出席本次大会并发言指出，LED照明作为宽禁带半导体材料应用的突破口，引发了“第三代半导体技术”的大发展，其以“高能效、低功耗，兼具极端性能和耐恶劣环境”的独特性能，顺应了当代社会发展的迫切需求，受到了科技界、产业界的高度关注，成为当前全球性的研发热点。

2015年10月，参加第十二届长三角科技论坛院士专家建言献策座谈会。围绕徐州市经济、科技发展、"十三五规划"建言献策。

郑有炓长期致力于半导体异质结构材料、器件及物理研究，在III 族氮化物异质结构、锗硅异质结构、和硅基纳米结构材料及其器件应用的研究上，取得系列创新成果，身于国际前列。

郑有炓总结当时半导体所用的新技术，发展了锗硅异质结构材料光辐射加热超低压CVD生长方法，自己设计、利用南京工厂的加工条件，研制出一套计算机控制的生长设备，制备出优质锗硅异质结构材料。他紧抓住半导体科学技术发展的前沿热点，结合承担的国家国家高技术研究发展计划、攀登计划、973项目及国家自然科学基金等科研任务。带领研究生组开展一系列研究，在锗硅、Ⅲ族氮化物和氧化锌宽带隙半导体研究领域里，支撑起一片属于南大、属于中国的天地。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中，发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的新方法、新技术，从极化能带级带工程出发，创新发展了多种新器件；提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系；发现锗硅合金应变诱导有序化新结构，提出新模型；揭示Ⅲ族氮化物异质结构极化、二维电子气及其相关性质；观测到碲化镉/锑化铟异质结构二维电子气及占据子带规律，开拓Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ族异质体系二维电子气研究领域；提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅纳米结构。

在开展科学研究的同时，郑有炓从未间断过教书育人的工作。他相信只有培养更多的青年英才，才会使科学研究薪火相传。十多年来，他努力建立起一支学术梯队。培养年轻教授6人，包括长江特聘教授1人，博导6人，国家杰出青年基金3人，培养了一大批硕士生、博士生，其中1人获2001年全国优秀博士学位论文奖。他本人则多次获江苏省“优秀学科带头人”“优秀高校教师”和“优秀科学工作者”荣誉。

郑有炓与研究组已发表论文400余篇，已被SCI 收录 332 篇，EI收录428篇，被 SCI 论文引用1683篇（其中他引1409 篇）基本资料如下：

1、测量MOS结构界面特性的变频C-V法，南京大学学报，vol.26,二氧化氮,212,1990

2、测量金属－半导体界面态的肖特基电容谱技术，电子测量与仪器学报，vol.3,no.1,12,1989

3、GaInAs/Al2O3的界面研究，半导体学报，vol.10,no.10,1989

4、N-沟增强型InPMISFET研究，半导体学报，vol.9,no.3,1988

5、导电聚合物P3MT的荧光谱，物理学报，vol.37,no.3,1988

6、聚乙炔半导体热激电流谱研究，半导体学报，vol.9,no.6,1988

7、计算机控制和处理的深能级瞬态谱研究，电子学保，vol.16,no.4,1988

8、GaInAs/InP异质结二维电子气，半导体学报，vol.8,no.5,1987

9、PECVDSiO2-InPMIS结构研究，固态电子学研究与进展，vol.7,no.3,1987

10、注硅InP的包封与无包封热退火，固态电子系研究与进展，vol.7,no.1,1987

11、SiO2/InPMIS结构界面态和体深能级研究，南京大学学报，vol.22,no.4,1986

12、PECVDSiO2/InP结构的AES和XPS分析，南京大学学报，vol.22,no.4,1986

13、分子束外延生长CdTe/InSb异质结输运性质研究，半导体物理与教学，p.209，1986

14、用椭偏光学方法研究GeSi超晶格结构，半导体学报，1992

15、GaAs/Si异质外延的新进展，，vol.11,no.4,324,1991

16、GeSi/Si异质界哦故的近红外吸收光谱测量，半导体光电，vol.12,no.4,399,1991

17、RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜电学性质，半导体学报，vol.12,no.7,1991

18、用椭偏光学方法研究GexSi1-x/Si超晶格结构，半导体学报，1992

19、Ga0.47In0.53As/SiO2与Ga0.47In0.53As/Al2O3的界面性质，半导体学报，vol.10,no.10,1989

20、锗硅基区异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)的研制，固体电子学研究与进展，vol.12,no.4,1992

21、锗硅应变层超晶格生长研究，物理学进展，no.1,1993

22、SiGe/Si应变层超晶格量子阱微结构材料的生长与掺杂技术，锗硅应变层超晶格材料与器件应用（国家科委信息领域办，863光电子主题专家组出版）

23、SiGe/Si应变层超晶格量子阱材料的优化设计及新器件的发展展望，锗硅应变层超晶格材料与器件应用（国家科委信息领域办，863光电子主题专家组出版）

24、Si基GaN的微结构表征，光散射学报.2003,15(4)

25、用MOCVD方法制备的GaN1-xPx三元合金的喇曼与红外光谱，半导体学报.2004,25(1)

26、耦合双量子点中基态电子的隧穿特性，半导体学报.2004,25(1)

27、p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列，半导体学报.2004,25(2)

28、AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制，固体电子学研究与进展.2004,24(1)36、蓝宝石衬底上6H-碳化硅单晶薄膜的化学气相淀积生长，功能材料.2004,35(2)

29、Zn1-xMgxO薄膜的低压MOCVD生长与性质，半导体学报.2004,25(7)

30、ZnO纳米岛的MOCVD自组装生长，半导体学报.2004,25(7)

1、HestructureandpropertyofSiGe/Siquantumwells,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,旧金山,1993

2、RamanscatteringspectroscotyofGeSi/Sistrainedlayersuperlattice,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993

3、NovelPhotocurrentResponefoaporoussilicon,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,旧金山,1993

4、PhaseformationandGesegregationinthethremalreactionbetweenPtandGeSi/SiHetewostructure,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993

5、StudyofGemovementduringthermalreactionsbetweenPtandGe/Siheterostructures,APPLphys.lett,vol.62,no.25,1993

6、InfluenceofPolarizationEffectsontheEnergyBandofAlGaN/GaN/AlGaNHeterostructures,ChinesePhysicsLetters（中国物理快报：英文版）.2004,21(4)

1、1991-1995 负责国家八六三计划项目”GeSi超晶格材料与应用“

2、1991-1995 负责国家重大基础研究项目“GeSi超晶格材料生长、物性和器件开发”

3、1992-1994 负责国防科工委项目“GeSi红外探测器”

4、1992-1994 负责国家自然科学基金项目“GeSi基区异质结晶体管研究”

5、1991-1995 负责省科委项目“GeSi材料与器件研究开发”

6、1991-1992 负责省科委项目“新型GeSi红外探测器研究”

7、1993-1995 负责国家高技术863计划项目“应变层结构GeSi/Si的稳定性及其改善对策研究”

8、1993-1995 负责国家高技术863计划项目“GeSi/Si异质结构材料生长研究”

9、1993-1995 指导国家教委博士点基金项目“GeSi/Si超晶格材料表征研究”

10、1993-1995 指导南京大学基金项目“GeSi/Si超晶格选择外延研究”

11、1993-1995 负责江苏省科委项目“新型GeSi材料与器件研究开发

1、1991 “快速辐射加热，超低压化学气相淀积原子级外延方法与系统”通过国家科委鉴定

2、1990 “半导体界面测试的变频C-V技术”通过江苏省科委鉴定

3、1990 “一种获得半导体异质结与超晶格材料的方法及设备”获国家知识产权局发明专利，专利号：90105603.0

4、1990 “半导体界面态变频C-V测量仪”获国家专利，专利号：90227508

5、1992 一种获得低表面分凝硅GeSi异质结构外延生长方法”获国家专利，专利号：92109725.5

（以上资料来源）

据中国科学技术信息研究所、国家工程技术数字研究馆信息：1999年至2004年期间，郑有炓共培养6名学生获得博士学位，硕士11名，基本情况如下：

【杨红官】学位类别：博士；授予学位日期 2004年04月01日；授予学位单位：南京大学；学位论文：锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器

【邓咏】学位类别：硕士；授予学位日期 2004年03月20日；授予学位单位：南京大学；学位论文：氮化铝和SiGeC的应变和深能级研究

【卢佃清】学位类别：博士；授予学位日期 2004年04月08日；授予学位单位：南京大学；学位论文：GaN材料HVPE生长研究

【刘杰】学位类别：硕士；授予学位日期 2003年05月20日；授予学位单位：南京大学；学位论文：Al\u003c,x\u003eGa\u003c,1-x\u003eN/GaN异质结构材料物性研究

【席冬娟】学位类别：硕士；授予学位日期 2002年11月20日；授予学位单位：南京大学；学位论文：硅基Ⅲ族氮化物宽带隙半导体界面性质研究

【陈平】学位类别：硕士；授予学位日期 2002年06月04日；授予学位单位：南京大学；学位论文：Si、碳化硅异质外延生长研究

【郑泽伟】学位类别：博士；授予学位日期 2002年05月28日；授予学位单位：南京大学；学位论文：Ⅲ族氮化物AlGaN/GaN异质结构输运性质研究

【徐剑】学位类别：硕士；授予学位日期 2002年05月20日；授予学位单位：南京大学；学位论文：氮化镓的激光分离技术及稀释磁性半导体的研究

【谢世勇】学位类别：硕士；授予学位日期 2001年06月01日；授予学位单位：南京大学；学位论文：注Mg:GaN的光学性质与GaN高温输运特性的智能化测试

【赵作明】学位类别：硕士；授予学位日期 2001年05月20日；授予学位单位：南京大学；学位论文：Si基GaN材料及其光电探测器的研究

【陈克林】学位类别：硕士；授予学位日期 2001年05月19日；授予学位单位：南京大学；学位论文：GaN湿法腐蚀及HVPE生长系统研究

【袁晓利】学位类别：博士；授予学位日期 2001年05月10日；授予学位单位：南京大学；学位论文：硅纳米晶粒浮置栅MOS存储器特性的研究

【陈鹏】学位类别：博士；授予学位日期 2000年11月01日；授予学位单位：南京大学；学位论文：Si基Ⅲ-族氮化物生长和Ⅲ-族氮化物MIS结构研究

【罗志云】学位类别：硕士；授予学位日期 2000年06月01日；授予学位单位：南京大学；学位论文：Si基Si\u003c,1-x-y\u003eGe\u003c,x\u003eC\u003c,Y\u003e体系近红外探测器的研究

【程雪梅】学位类别：硕士；授予学位日期 2000年06月01日；授予学位单位：南京大学；学位论文：硅基富Ge-SiGeC合金薄膜热氧化发光和退火性质研究

【陈志忠】学位类别：博士；授予学位日期 2000年05月01日；授予学位单位：南京大学；学位论文：GaN薄膜材料光学、电学性质及微结构研究

【臧岚】学位类别：硕士；授予学位日期 1999年06月01日；授予学位单位：南京大学；学位论文：GeSi合金体系及GaN材料与器件研究

郑有炓的妻子陆婉芬曾任南京大学化学化工学院教授。

“郑有炓是中国半导体异质结构材料与器件研究的开拓者和领军人。”（江苏省光电信息功能材料重点实验室评）

“郑有炓在半导体材料与器件的教学科研工作中做出了系统性、创造性的突出贡献。”（南京大学评）

2022年，郑有炓将所获奖金200万元及其弟子们共同捐资100万元捐赠给南京大学，设立了“郑有炓教育基金”。