杨树，
浙江大学电气工程学院研究员，博士生导师。女，出生于1990年6月5日，安徽合肥人。2010年于
复旦大学获微电子学
学士；2014年于
香港科技大学获电子计算机工程博士学位；2014年-2016年分别于香港科技大学担任客座助理教授、英国
剑桥大学任
博士后。2016年回国后，杨树进入浙江大学电气工程学院，是浙江大学“百人计划”研究员，具有博士生招生资格。主要从事宽禁带半导体
电力电子器件的设计、微纳制造、分析表征以及可靠性研究。在
氮化镓MIS器件界面优化、硅基氮化镓器件动态特性退化机制、基于同质
外延的垂直型氮化镓电力电子器件等方向开展了一系列工作。自主研制出1kV/1.2mΩ·cm2单极型和1.8kV/0.5mΩ·cm2双极型垂直氮化镓功率器件，克服了困扰传统平面型氮化镓器件的动态性能退化问题。在本领域权威期刊及顶级会议等共发表70余篇论文。并受邀在众多国际会议上做特邀报告。是
国家重点研发计划重点专项课题负责人，主持国家自然科学基金面上项目和青年项目、教育部联合基金、
浙江省杰出青年科学基金、台达电力电子
科学教育基金等项目。是首批Hong Kong PhD Fellowship获奖者之一；2015年获得
香港科技大学PhD Research Excellence Award（每年1~3位获奖者）；2016年入选首届CASA第三代半导体卓越创新青年；2018年获得IEEE ISPSD Charitat Young Researcher Award（每年1~2位获奖者，是该奖项创办30年以来中国大陆首位获奖者）；2020年获得中达青年学者奖、
中国电源学会优秀青年奖。
杨树于2010年获得
复旦大学微电子学
学士，2014年获得
香港科技大学电子计算机工程博士学位。在博士期间，她的导师是IEEE Fellow Kevin J. Chen教授。
博士后期间，她在香港科技大学担任客座助理教授，并在英国
剑桥大学与英国皇家工程院院士Florin Udrea教授合作研究。2016年，杨树加入
浙江大学电气工程学院，成为“百人计划”研究员，并获得博士生招生资格。此外，她还曾任
中国科学技术大学国家示范性微电子学院教授。
杨树的研究成果包括在
氮化镓MIS器件界面优化、硅基氮化镓器件动态特性退化机制、垂直型氮化镓
电力电子器件等方面的工作。她自主研制的垂直GaN器件在国际上具有较为领先的功率品质
因数，并研制出了无电流崩塌的新型垂直GaN器件，解决了GaN器件的动态性能退化难题。她在国际学术期刊和会议上发表了80余篇SCI/EI论文，其中30余篇为SCI论文，部分论文入选ESI高被引论文，并编写了英文专著章节。她的研究成果曾多次被国际产业杂志专题报道，并在多个国际会议上做特邀报告。
杨树的研究领域是GaN
半导体器件的核心技术及物理机理。GaN，即
氮化镓，属于第三代
半导体材料。她钻研的这项技术，可以极大提高
电能转换效率，从而达到节能减排的效果，是目前先进国家及企业重点投入的半导体关键技术。除此，她作为
第一作者的研究成果，被包括
美国工程院院士、欧洲科学院院士、英国皇家工程院院士、
中国科学院院士等以及多家国际领先半导体公司多次引用和正面评价。——
中国新闻网评
杨树是极为谦虚及易于合作的学者，具有极为出色的理解能力和物理直觉，思维缜密，基础扎实。在导师及
博士后的指导下能非常快速地找到问题的核心。——陈敬评