南亚科技股份有限公司成立于1995年，是台塑企业旗下南亚塑胶转投资公司。公司专注于动态随机存取记忆体（DRAM）及晶圆代工两大类别，拥有一座12晶圆厂，致力于DRAM之研发、设计、制造与销售，并在美国、欧洲、日本、中国大陆设立海外行销据点。南亚科技的最大股东为南亚塑胶，员工人数约2500人，总公司位于新北市泰山区南林科技园区。南亚科技多年来专注于研发及智慧财产权的建立，其品牌“南亚”已成为DRAM知名品牌之一，主要客户遍及世界知名厂商。2021年第四季，南亚科技DRAM市占率3.1%，位居三星电子、SK海力士、美光科技三大厂商之后。2023年1月13日，《2022胡润中国500强》发布，南亚科技排名第313位。2000年8月17日，南亚科技在台湾证券交易所股票上市，股票代号为2408。

该公司资本额403亿新台币，员工人数约4000人，总公司位于华亚科技园区，生产基地为一座八吋晶圆厂及一座十二吋晶圆厂，分别位于桃园南及泰山南林园区。南亚科技多年来专注于研发及智慧财产权的建立，并已培养近800人的研发团队。

在制程进度上，南亚科技的42纳米制程技术已于2010年第四季开始量产，计划于2011年中全数可转换至42纳米(不包含部份为利基型内存产品线所保留的产能)，以2GbDDR3芯片生产为主，将于下半年导入4GbDDR3的产品。3X纳米制程技术规划将于今(2011)年第二季导入投片。南亚科技致力拥有自主技术及经营PB，并持续强化高附加价值利基型(非标准型)内存战线，期能进一步提升台湾DRAM产业在国际的竞争力。

为提升技术力与竞争力，南亚科技于2008年4月与美国美光公司(Micron)签订10年共同研发合约，共同致力于先进制程技术，开发更高附加价值产品。南亚科技与美国美光公司(Micron)签订50纳米以下制程技术共同开发合约，自2008年12月起共同分享华亚科技的产出。华亚科技已于2010年第四季完成50纳米技术转换，并达产能满载每月13万片之投片。华亚科技计划于2011年第一季开始42纳米量产，且于2011年年中完成绝大多数的产能转换。此策略联盟，与美光共同研发，同时在台湾培养本土的研发人才，使技术在台生根，以达到永续经营的目标。

南亚科技认知技术发展为经营内存产业的命脉，于2008年4月与美国美光(Micron)签订50纳米以下制程与产品共同开发合作，共同致力于先进制程与产品的开发。50纳米世代正在导入生产中，42纳米预计2010年下半年开始量产，30纳米正在研发中。我们与美光公司共同研发，同时在台湾培养本土的研发人才，使技术在台湾生根，以达到永续经营的目标。

南亚科技深知企业欲永续生存，须以顾客导向作为经营基础。我们将不断地投注于制程技术的提升，与藉由有效的员工训练，使文件、操作程序、原物料、制程环境、量测仪器、与制程控制等能趋于完整与一致，以求取更高的质量保证标准，提供更优质的服务。

「我们秉持追根究底、实事求是的精神，精益求精，以满足客户对产品质量、交期及服务的需求。」－－－连日昌总经理

质量承诺

提供满足客户对产品质量、交期及服务之需求为本公司对客户之承诺与努力达成之目标，此一承诺与目标将依ISO9001及ISO/TS16949质量管理系统为最高指导原则及各部门作业之依据，透过全员参与使全体人员了解并贯彻实施质量政策

质量系统

为有效整合企业的组织、责任、程序、过程与资源等质量管理活动，作为达成既定政策及目标的手段，质量系统的建立，应满足下列的功能发展：

质量系统能为公司员工（视各单位职能别）了解且有效运作。

提供满足客户的产品。

强调事前预防而非事后追查。

5月南亚塑料Inc.与日本冲电气工业株式会社(OKI)签订16MbDRAM技术移转合约。

1月晶圆一厂动土兴建。

3月南亚科技正式成立于1995年3月4日。

4月与日本冲电气株式会社(OKI)、南亚塑料股份有限公司签订三方面备忘录，承接原南亚塑料与OKI16MbDRAM技术案之所有权利义务。

7月16MbDRAM试产成功。

10月正式销售开始。

11月与日本冲电气株式会社(OKI)签订0.36~0.32微米(μm)64MbDRAM技术授权合约投资于美国硅谷成立产品设计公司GSI。

6月获得劳氏ISO-9002品质认证。

7月南亚科技美国分公司ntcUSA成立。

8月64MbDRAM投片试产。

4月晶圆二厂动土兴建。

11月与IBM公司签订0.2~0.175微米(μm)64~256MbDRAM技术移转合约公司单月营业额突破新台币10亿元。

12月获得劳氏ISO-14001环境系统管理认证成立美国德州休斯敦产品设计中心。

10月0.20微米(μm)64MbSDRAM开始量产。

2月晶圆二厂开始投片试产。

8月128MbSDARM及DDRDRAM试产成功。

8/17南亚科技正式在台湾挂牌上市。

10月与IBM公司签订0.14/0.11微米(μm)共同研发合约。

12月二厂获得劳氏公司ISO-9001品质认证。

1月通过IBMTier1质量系统验证。

5月与SST公司签订0.25/0.18微米(μm)代工及高阶闪存共同研发合约。

6月全面量产0.175微米(μm)128Mb/256MbDRAM。

4月成立南亚科技(香港)Inc.。

9月成立日本东京分公司。

11月与德国英飞凌签订0.09/0.07微米共同研发技术合约，并合资设立12吋晶圆厂「华亚科技」。

12月华亚科技破土典礼。

二厂获ISO-14001认证。

一厂＆二厂获OHSAS18001认证。

1月成立德国分公司。

成立昆山办事处。

12月华亚科技正式装机典礼。

5月南亚科技通过DDR2产品IntelAVL认证。

10月华亚科技月产能达到24,000片，以0.11mn制程技术为主。

12月90纳米DDR2开始投片试产。

4月高阶服务器用DDR2内存模块通过国际大厂认证，进军服务器用内存市场。

华亚科技上兴柜挂牌。

5月华亚科技第二座12吋晶圆厂动土。

6月90纳米技术研发成功并通过认证。

9月与英飞凌签订60纳米共同研发技术合约。

3月第一座十二吋厂，晶圆三厂动土兴建。

9月70/75纳米(与奇梦达共同研发)技术成功通过认证。

10月南亚科（上海）科技贸易限公司成立。

3月三A厂无尘室兴建。

5月三A厂机台设备Move-in。

10月90纳米制程量产。

4月与美光科技签署共同研发技术合约。

11月南科3A厂70纳米制程达到第一期全产能3万4千片。

12月南科三厂通过英国劳氏(Lloyd’s)ISO14001环境管理系统认证及OHSAS18001安全卫生管理系统认证。

6月完成减资66%并增资新台币122亿元，增资后资本额为台币257亿元。

6月导入68纳米堆栈式制程技术生产1GbDDR3产品。

7月导入50纳米堆栈式制程技术生产1GbDDR3产品。

12月完成现金增资新台币160亿元，增资后资本额为新台币340亿元。

7月7月5日成功试产42纳米制程技术。

10月42纳米制程技术于第4季开始量产。

12月完成现金增资新台币99亿元，增资后资本额为新台币403亿元。

「技术生根，永续经营」

致力于先进技术与产品的开发。同时在台湾培养本土的研发人才，使技术在台湾生根，永续发展。

充分利用已开发完成的先进制程技术，提升产品的价值，达到求取最大获利的目标。

经营目标:

身成为世界一流DRAM内存及相关产品制造服务供货商，以两位数的全球市场占有率为目标。

南亚科技除巩固其在标准型内存市场市占率外，更积极经营利基型（非标准型）内存市场，包括服务器用内存、消费型内存及行动式内存(MobileRAM)三大核心产品线的研发、生产及销售。在服务器用内存及消费型内存领域已有优异成绩表现，且行动式内存领域正逐渐茁壮。预期这些高附加价值产品在2011年占总营业额比重可提高至三成以上，可为南科销售量带来逐月成长，且期许2012年能挑战营收过半的策略目标。非标准型内存利润较高且市场稳定，属高附加价值的产品，南科致力强化该内存战线，期能进一步提升台湾DRAM产业在国际的竞争力。

经营策略:

秉持台塑企业「追根究，实事求是」之经营理念，南科致力于拥有自主技术及经营PB。

南科与美光采共同研发，目标在2012年达到自主研发目标。

南科长期经营自有品牌，品牌销售占出货量超过90%，其中法兰茜客户(如联想、宏碁、华硕、HP、戴尔股份有限公司等)占75%，且在供货商评比中名列前茅。

在台湾设立制程技术研发中心，与技术伙伴美光同步研发，并以最先进的技术，于最大的生产基地量产，获得最大利益。

2023年1月13日，《2022胡润中国500强》发布，南亚科技排名第313位。

2024年8月13日，《2023胡润中国500强》发布，南亚科技排名第253位。