范绪筠（1912年7月15日—2000年），出生于江苏省上海县，后成为美籍华裔物理学家。他在半导体物理学领域有着重要的研究成果，曾任普渡大学教授，并被选为中央研究院院士。

范绪筠曾是美国国家研究委员会固体科学小组成员，担任过美国国家科学基金会和国家科学院的多个委员会和评审小组成员。1969至1972年，他曾任国际纯粹物理学与应用物理学联合会半导体委员会的通讯会员。1959至1961年，范绪筠是美国物理学会固体物理行政委员会的成员。

范绪筠1932年毕业于哈尔滨工业学校，同年赴美深造。1934年在麻省理工学院获得硕士学位，1937年在同一学府获得科学博士学位。

1937年，范绪筠回国后加入清华大学无线电研究所。中国抗日战争期间，随清华大学迁至昆明市，成为国立西南联合大学的一部分。1947年，他回到美国麻省理工学院进行研究。普渡大学对他1942年发表的两篇理论文章表示兴趣，并邀请他加入该校。

范绪筠在普渡大学先后担任访问教授、副教授、教授，并于1963年起担任物理学邓肯教授，直至1978年退休。1957年，范绪筠加入美国籍。

范绪筠在清华大学期间关注并研究了半导体接触问题，发表了《固体间电接触的理论》和《金属间以及金属和半导体间的接触》两篇论文，为固体电子学的发展做出了贡献。在普渡大学，他的研究集中在半导体吸收限方面，尤其是锗和硅的研究，并对半导体晶体缺陷进行了探究。范绪筠共发表了100多篇学术论文，并多次参与半导体物理国际会议。

范绪筠的父亲是范其光，母亲是李国奎。他有一姐范绪箴，一弟范绪箕，以及一妹范绪。