杨建华，博士，研究员，1964年3月出生于洞头区，硕士毕业于中国科学技术大学，博士毕业于中国科学院上海硅酸盐研究所。

现任上海硅酸盐研究所纪委书记、党委委员。

1985年7月毕业于浙江温州师范学院  

1985年8月至1989年8月于浙江省洞头县第一中学任教  

1989年9月至1992年7月就读于中国科学技术大学材料科学与工程系，并获硕士学位  

1992年9月至2005年7月于上海硅酸盐研究所工作，于2005年获博士学位，历年被聘任为助理研究员、副研究员、研究员。  

其中2000-2001年在德国马克斯·普朗克金属研究所工作。  

2001年底回国在上海硅酸盐研究所任科技业务处副处长；

2003年起任研究所办公室主任；

2006至2008年任所长助理兼科技业务处处长。

曾任中国科学院上海硅酸盐研究所副所长。

2020年7月任上海硅酸盐研究所党委副书记、纪委书记。

现任上海硅酸盐研究所纪委书记、党委委员。

2020年7月23日，经研究，同意：杨建华同志任上海硅酸盐研究所党委副书记、纪委书记。

2022年6月2日，经中共中国科学院党组研究，决定： 免去杨建华同志上海硅酸盐研究所党委副书记职务。

主要从事能源材料与储能技术的研究和应用；人工晶体研究。包括钠硫储能电池产业化应用开发、锂硫化物快离子导体设计与合成；以及宽禁带半导体和闪烁功能晶体研究等。先后承担和参与国家重大科技专项02专项、科技支撑、上海市重点基础研究等项目的研究工作。在国内外SCI刊物发表学术论文四十余篇，专利二十余项。其中领导和参与研究的大容量城网储能钠硫电池产业化项目，被中科院、中国工程院两院院士评为2009年中国十大科技进展之一；大容量城网钠硫储能电站在上海世博会期间成功并网运行展示。所领导的科研团队荣获2007－2009年度“上海市劳动模范集体”； 2010年度“中科院先进集体”；2012年度“全国工人先锋队”。  

1. Jianhua Yang, Zhonghua Gu, Zhaoyin Wen，Dongsheng Yan，Preparation and Characterization of Solid Electrolytes La2-xAxMo2-yWyO9 (A=Sm, Bi)，Solid State Ionic, 176 (2005) 523-530

2. Jianhua Yang, Zhaoyin Wen , Zhonghua Gu and Dongsheng Yan, Conductivity and Microstructure of Solid Electrolyte La2Mo2O9 Prepared by Spark-Plasma Sintering，J. European Ceramic Society，25（2005） 3315－3321

3. Jianhua Yang, Helfried Näfe，Fritz Aldinger, Dongsheng Yan, Phase Equilibrium Investigations on Na-K-(β+β)-Alumina. J. American Ceramic Society. 88 （2005）2897-2901

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1. 一种封闭式结构的钠硫电池，发明专利201110022999.6，韩金铎、温兆银、曹佳弟、俞国勤、杨建华；

2. 钠硫电池正极预制用环形全自动连续梯度环保加热系统，发明专利201110023005.2，韩金铎、温兆银、曹佳弟、张富利、杨建华、邹晓易、何维国；

3. 一种钠硫电池用基于立体编织的碳硫复合电极，201110031685.2，温兆银、韩金铎、张宇、曹佳弟、杨建华

4. 储能钠硫电池模块用复合真空保温箱体，201110031677.8，刘宇、温兆银、何维国、邹晓易、张宇、杨建华

5. 一种钠硫电池施压检漏装置及使用方法，201110034633.0，韩金铎、温兆银、何维国、曹佳弟、杨建华

6. 钠硫电池失效的早期诊断方法及其使用的保护装置，201110050430.0，刘宇、邹晓易、温兆银、何维国、张宇、杨建华

7. 一种生长碳化硅晶体的籽晶粘结方法，孔海宽、严成锋、忻隽、陈建军、肖兵、陈之战、杨建华、施尔畏，发明专利，201010586723.6，2010.12.14。

8. 一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法，刘学超、杨建华、施尔畏，发明专利，201110032202.0，2011.01.28。

9. 一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法，刘学超、陈之战、杨建华、施尔畏，发明专利，201110031688.6， 2011.01.28。

10.一种光控碳化硅光电导开关，黄维、刘学超、常少辉、杨建华、陈之战、施尔畏，PCT国际专利，PCT/CN2011/070873，2011.02.01。

11.大尺寸碳化硅单晶生长装置，刘熙、严成峰、忻隽、孔海宽、肖兵、杨建华、施尔畏，发明专利，201110440573.2，2011.12.23。

12.正对电极结构、SiC光导开关及其它们的制造方法，常少辉、黄维、刘学超、杨建华、施尔畏，发明专利，201110439851.2，2011.12.23。

13.碳化硅化学气相外延载物台装置，朱明星、石彪、陈义、刘学超、杨建华、施尔畏，发明专利，201110437215.6，2011.12.23。

14.轴向温度梯度可调控的碳化硅单晶生长装置，刘熙、严成峰、忻隽、孔海宽、肖兵、杨建华、施尔畏，发明专利，201110447811.2，2011.12.28。

15.碳化硅晶体的定型定向切割方法，陈辉、庄击勇、王乐星、黄维、杨建华、施尔畏，发明专利，201110453602.9，2011.12.30。

16.大应力碳化硅晶体的初加工方法，陈辉、庄击勇、王乐星、黄维、杨建华、施尔畏，发明专利，201110453604.8，2011.12.30。

17.一种用于二次锂电池的Li2S-Al2S3固体电解质材料及制备方法(200610116814.7), 黄富强，刘伟丰，杨建华，

18.一种用于二次锂电池的锂硅硫固体电解质材料及其制备方法(200610116813.2) ,黄富强，刘伟丰，杨建华，

19.用于全固态锂电池的锂硫体系固体电解质材料及制备方法 (200710037478.1) ,刘战强，黄富强，杨建华，

20.用于全固态锂电池固体电解质材料体系及制备方法 (200710037479.6), 刘战强，黄富强，杨建华，

21.黄富强，陈敬波，杨建华，刘伟丰，一种可用作锂离子电池固体电解质的硫族化合物材料及其制备方法 (200610116814.7)

22.锂离子无机化合物复合固体电解质的设计策略与制备方法 (200710045456.X) ,黄富强，王耀明，杨建华，  

1. 大容量城域网电池储能钠硫电池研发（企业合作、科技部）

2. 钠硫电池工程化关键技术研究 （中科院）

3. 国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”课题“双室结构型碳化硅单晶生长炉研制及工艺开发”，（科技部）；

4. 无机闪烁晶体的关键制备技术及产业化项目，（国家工信部）

5. 年产100万片高技术人工晶体的产业化项目，（国家发改委）

6. 高性能碳化硅光导开关的研制及其在介质壁加速器上的应用研究，（中科院）

7. 第三代宽禁带半导体SiC衬底与外延制备技术开发，（江苏省）