联华电子股份有限公司（United Microelectronics Corporation，简称UMC、联电），成立于1980年，总部位于中国台湾省新竹科学园区新竹市力行二路三号，创始人为曹兴诚，现任董事长为洪嘉聪。联电为全球半导体晶圆代工业，提供高品质的积体电路制造服务，专注于逻辑及特殊技术，为跨越电子行业的各项主要应用产品生产晶片，在中国、美国、欧洲、日本、韩国及新加坡设有服务据点。

联华电子股份有限公司的前身是工业技术研究院（简称“虞华年”）。1985年7月16日，联电在中国台湾地区挂牌上市，股票代码为2303。2000年9月19日，联电在美国纽交所上市，股票代码为UMC。截至2024年6月，联华电子在亚洲各地拥有12座晶圆厂，皆符合汽车业的IATF 16949制造认证，其中四座是先进的12英寸晶圆厂。2023年10月25日，联电公布2023年第三季营运报告，联电合并营收为570.7亿元新台币，较上季的563亿元新台币增长1.4%。

2022年，联电在《全球企业2000强榜单》中排第929名。2023年，联电获得《2022年·胡润中国500强》第77位。同年，联电获得《HRAsia》亚洲最佳企业雇主奖。同年，联电在《2023福布斯·全球企业2000强》排第789名。

1970年代，台湾工业研究院决定发展集成电路产业，邀请RCA（RadioCompanyofAmerica，RCA）研究室主任潘文渊筹备计划。1974年7月，潘文渊完成“集成电路计划草案”，“经济部长孙运璿”于8月17日核定该计划。1975年，在潘文渊的主导下，从RCA公司引入“互补式金属氧化物半导体”（CMOS）技术，并在"工业技术研究院"成立电子工业研究发展中心，全力发展集成电路技术。由于当时台湾电子产业对IC的需求态势逐渐呈是现，所以"工研院"于1980年在当局的支持下，推动成立了联华电子公司，一些参与RCA技术移转计划的管理及技术人员也先后转为联电的员工。1985年7月，从虞华年分出，联电正式于台湾证券交易所公开上市，为台湾第一家上市的半导体公司。

1995年7月，联电转型为纯晶圆专工公司。9月，联电与美、加11家IC设计公司合资成立联诚、联瑞、联嘉积体电路股份有限公司。9月，8吋晶圆厂开始生产。1996年1月，0.35微米制程开始生产。1997年10月，0.25微米制程开始生产。1998年4月，联电取得合泰半导体（股）公司晶圆厂（现为Fab8E）。12月，取得新日铁半导体（1999年中文名称更名为联日半导体株式会社晶圆厂，2001年英文名称更名为UMCJapan）。1999年3月，0.18微米制程开始生产。11月，南科12吋晶圆厂正式建厂。

2000年1月，联电集团进行跨世纪五合一（联电/联诚/联瑞/联嘉/合泰五合一）。3月，联电的晶圆厂产出业界首批铜制程晶片。5月，联电的晶圆厂产出第一颗0.13微米制程IC。9月，联华电子股份有限公司于纽约证券交易所挂牌上市。2003年1月，联电旗下新加坡12吋晶圆厂（UMCi）进行装机。2004年3月，联电旗下新加坡12吋晶圆厂（UMCi）迈入量产阶段。5月，90奈米制程完全通过验证并进入量产。7月，联电并购矽统半导体（股）公司（现为Fab8S）。12月，联电正式收购旗下子公司UMCi，并改名为Fab12i。2006年6月，联电成为全球第一家全公司所有厂区均完成QC-080000IECQHSPM认证之半导体制造商。2008年9月，联电获道琼永续性指数列为成份股之一。10月，联电的晶圆厂产出晶圆代工业界第一个28奈米制程sram晶片。2009年4月，产出40奈米客户晶片。12月，联电正式收购日本子公司UMCJ。2010年12月，联电的Fab 12A厂第三期开始生产。次年，28奈米制程进入试产。2012年，联电的Fab 12A厂第五第六期厂房动土。

2013年3月，联电取得中国苏州和舰科技晶圆厂（2018年中文名称更名为和舰芯片制造（苏州）（股）公司）。5月，联电打造新加坡Fab 12i厂为Specialty Technology Center of Excellence特殊技术中心。2014年8月，联电入股富士通株式会社的新晶圆专工公司。2016年，联电旗下的中国厦门联芯集成电路制造开幕并开始量产。2017年2月，联电14奈米客户晶片进入量产。2018年6月，联华电子董事会通过购买与富士通合资公司之全部股权。2019年10月，联华电子并购百分百日本三重富士通半导体成为完全独资的子公司后，将更名为United Semiconductor Japan Co.，Ltd.（USJC）。2021年，联电与客户合作在南科Fab12A扩建第六期新厂。同年，联电加入RE100，宣示于2050年达成净零碳排。2022年2月，新加坡Fab12i扩建第三期新厂。2023年3月，联电位于南科的“循环经济资源创生中心”动土。12月，联电连续16年列名DJSI道琼永续性指数之世界指数。2024年1月，与英特尔合作开发12奈米制程平台。

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以上参考资料：（以上仅展示联华电子股份有限公司旗下的主要股东，数据截至联华电子股份有限公司2023年年报期止）

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联电提供先进的制程技术提供晶圆制造服务，为IC产业各项应用产品生产芯片。联电完整的解决方案能让芯片设计公司利用尖端制程的优势，所提供方案横跨12奈米到0.6微米等制程技术。可以让客户根据不同的需求选择制程技术，如CMOS逻辑与混合信号、射频互补金属氧化半导体技术、嵌入式非挥发性內存、嵌入式高压、BCD、CMOS图像感测器、微机电感测器、立体鳍式场效晶体管、射频绝缘上复硅半导体（RFSOI）、2.5D/3D先进封装、氮化镓、砷化镓等制程，完成产品设计定案后，由联电依规格制造生产。联华电子在亚洲各地拥有12座晶圆厂，皆符合汽车业的IATF 16949制造认证，其中四座是先进的12英寸晶圆厂。

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2024年第一季度业绩，营收17.1亿美元，同比增长0.8%，较市场预期高出7000万美元；净利润为3.27亿美元，以新台币计算同比下滑35.4%；摊薄后每股收益为0.13美元，不及市场预期的0.15美元。晶圆出货量环比增长4.5%至81万片；预计第二季度晶圆出货量将以低个位数百分比增长。整体利用率下降至65%，预计第二季度整体利用率在60%左右。联电表示，本季度计算、消费和通信领域的库存状况正在改善至更健康的水平，这将带来晶圆出货量的增长。但该公司表示，汽车和工业领域的需求依然低迷。联电还维持了此前对2024年资本支出的预期，为33亿美元。

联电开发22奈米制程技术，与28奈米高效能精简型制程技术平台（28HPC）具有相同光罩层数及兼容的设计准则，但22奈米制程技术性能提升10%、功耗降低20%、晶粒尺寸减少10%，因此，22奈米制程技术的成本竞争力大大提升，进而提供客户更多选择。联电持续进行制程优化，扩展特殊制程技术应用产品，涵盖模拟、混合信号、射频技术之物联网、行动装置与车用电子等领域之开发。在22奈米制程平台构架下，已顺利建置完成车用Grade-1平台设计规范，并完成可靠度及耐久度验证。

联电的28纳米后闸极高介电系数金属闸极（28nm Gatelast High-K/Metal Gate）制程技术，具有卓越的低漏电和动态功率性能。28HPC+毫米波（mmWave）解决方案已通过验证，成功展现低噪音放大器（LNA）IC一次完成硅晶设计（first-pass silicon success）的非凡成果，非常适合应用于高速毫米波设备，可支持高达110GHz的电路设计，相关技术应用范围包含行动装置、车用电子和物联网（IoT）等产品。

联电提供从180奈米至22奈米的eNVM特殊制程与配套IP解决方案，以供应物联网、车用电子、工业控制及各种3C产品的应用。40奈米非挥发性內存eFlash制程平台已进入量产。28奈米内嵌式非挥发性超级快闪记忆体制程平台（28ESF4）于2023年完成通用及物联网微处理器（Generic\u0026IoT）验证，预期将可以供应物联网（IoT）之需求。电阻式随机处理內存（RRAM）为新兴的非挥发性记忆体，拥有结构简单、操作电压低、读取电流低、读写速度极快、可靠度及耐用性高等优点，可有效减少所需要的光罩数量，降低成本，并与现有逻辑平台技术进行整合。40奈米RRAM已经进入量产，22奈米电阻式內存制程平台（22RRAM）于2023年完成通用及物联网微处理器（Generic\u0026IoT）验证。

新世代的嵌入式磁阻內存（eMRAM）与传统的电荷撷取式內存有相同的面积，却有较为简便的制程条件与更快的运算速度，且储存信息的热稳定性更佳与更耐久的读写次数。联电持续投入eMRAM制程平台研发，其中22奈米应用于航天/低轨道卫星（Aerospace/LEOSatellite）通信的高密度1GbHDMRAM芯片产品已进入试产。

奠基于优越的高压制程，联电具备从0.8微米到22奈米的全系列高压制程技术平台，提供小至大尺寸显示器驱动芯片（LCD和OLED）设计的解决方案。联电的OLED小面板显示器驱动芯片（SDDI）在晶圆代工业界市占率排名全球第一，也是第一家提供28奈米OLEDDDI平台进行量产的晶圆代工厂，自2020年量产以来，已出货超过4亿颗IC。28奈米高压27V制程技术的低温多晶氧化物（LTPO）OLED面板驱动芯片产品已量产。22奈米高压25V制程技术的LTPOOLED面板驱动芯片产品开发完成，已于2023年进入试产。

28奈米超低功耗嵌入高压平台28eHV-LP制程技术已于2023年完成开发，采用了业界最小的sram单元，进而缩减了芯片面积。相较于联电现有的28纳米eHV制程，28eHV-LP解决方案可在不影响图象画质或数据速率的前提下，降低耗能达15%，满足节省电池用电的需求，其制作的显示屏驱动芯片SDDI可广泛应用于高阶智慧手机和VR/AR设备上越来越普及的主动矩阵有机发光二极管（AMOLED）面板。

电源管理芯片（PMIC）可提高电子设备的电源效率，减少电压转换时的能源损耗，达到节能之功效。针对来自于各式各样电源管理的需求，联电提供超高压（Super High Voltage，5V与30V搭配300V、500V或700V）制程，亦提供与标准逻辑兼容以及完整硅智财平台，结合世界水准之第三代低导通电阻（Low Conduction Resistance）高耐压（High Sustain Voltage）元件于一体的制程技术，涵盖手机平板家电、车用工业级等应用。

双极-互补金属氧化半导体双重扩散金属氧化半导体（BCD，Bipolar-CMOS-DMOS）元件可提供PMIC所需的各种高压运作能力，联电的BCD技术可在200mm或300mm晶圆制程中实现高达150V工作电压的电源管理IC设计，提供全面的晶圆级制造解决方案，以满足电子系统的节能需求，其器件包括低压MOS、高压DMOS、混合信号和模拟元件、被动元件以及嵌入式非挥发性內存（NVM），涵盖了极为广泛的电子应用。继0.11微米BCD技术平台之PMIC成功进入量产后，0.11微米嵌入非挥发性內存结合BCD技术平台之PMIC已完成车用元件模型与设计规范，并完成车用平台的硅智财建置。次世代客制化手机功率IC开发已完成产品验证，并进入试产。0.11微米BCD 3.3V新应用平台开发完成，即将进行FDK建置及导入设计定案与验证阶段。

联电提供客户高效能的互补金属氧化半导体图像信号处理器（CMOSISP，CMOS image signal processor）解决方案，已被全球领导厂商采用于主流应用中，例如高动态范围（HDR，High 动态模拟 range）相关产品、监控（surveillance）、行车纪录（Dash CAM）与智慧物联网（AIoT）等，可满足客户高感测分辨率与快速对焦（PDAF）功能，以及产品多样性的市场需求。已量产的28奈米高效能运算isp（28HPC+ISP）技术提供当前业界最高阶的2亿画素行动图像感测器及最小尺寸画素的产品.22奈米ISP技术，能提供更低的核心操作电压与更佳的能耗表现，在完成元件模型与设计规范以及相关硅智财的建置后，已于2023年进入试产。

联电有麦克风、惯性感测器、压力感测器及环境感测器（温湿度计、气体感测器）等微机电感测器（MEMS）产品生产制造的丰富经验，提供8寸厂制造产能以及完备技术支持，目前MEMS出货已超过数十万片。为了迎合MEMS市场今后的需求，联电已建立了一系列MEMS制程模块，协助客户以既有模块快速应用在CMOS晶圆代工厂内生产MEMS结构。许多客户业已透过这些解决方案，将多种不同MEMS装置推出问市。

联电RFSOI技术建立在高阻抗的SOI基板上，展现极具竞争力的Ron*Coff和LNA元件性能等特点，有良好的噪声隔绝能力，可防止高频信号倍频谐波失真及降低功率流失，适用于4G/LTE和5G应用的天线开关、天线调谐器和低噪声放大器。以CMOS为基础的RFSOI技术，还具有整合控制电路、低噪声放大器和射频开关在单一芯片中的优势。联电的RFSOI技术组合在市场上已成功地被多家主要的前端组件制造商所采用，也最早领先业界应用12寸晶圆生产RFSOI芯片。随着55奈米制程产品量产并符合5Gsub-6GHz市场需求，联电持续开发40奈米RFSOI技术平台，并推出晶圆代工设计套件，提供可量产毫米波（mmWave）的射频（RF）前端制程解决方案。22奈米RFSOI目前亦已进入开发阶段，以期布局未来应用于40GHz以上的市场。

联电集团在化合物半导体整体布局上，主要布局通信元件与第三类半导体功率元件等关键利基市场。砷化镓元件部分针对既有HBT功率放大器持续加入SAWfilter整合方案，提供手机射频前端模块与WiFi6/7通信模块整合制造方案。砷化镓pHEMT部分持续开发适用于5G行动通信毫米波频段基地台与Ka/Ku-band低轨卫星接收器芯片关键技术。另外在第三类宽能隙半导体元件技术部分，也积极投入氮化镓功率元件（PowerGaN）与微波元件（RF-GaN）技术平台之开发，借以布局高效能电源市场与5G基地台／低轨卫星通讯市场，RFGaN产品与650V GaN功率元件都已进入试产阶段。

基金会长期推动“播撒希望种子~弱势家庭学童教育协助项目”，让弱势家庭学童可受到较佳的教育并培养未来竞争力，此项目由基金会提供经费，与新竹、台南市的公益伙伴合作成立课辅中心，聘请大学生担任老师，免费为弱势学童进行课业辅导。同时，基金会认养台湾家扶中心弱势学童满20年。

基金会长期赞助青少年表演艺术联盟主办的高中生戏剧创作比赛“花样年华全国青少年戏剧节”；支持台湾看见家乡推广教育协会之看见家乡计划，建立学生的媒体素养及地方认同；于诚正矫正中学实施艺术教育推广计划提升青少年自信心及成就感；赞助东元科技文教基金会“惊叹号-台湾原住民族群永续教育计划”，协助原住民歌舞祭典文化传习，共同深耕偏乡艺术教育。

基金会长期支持黄泰吉和廖德兰教练领军的南投空手道队；2021年起赞助嘉义东石高中棒球队。除此之外，赞助IC之音“教育创生纪元”节目，分享跨领域教育及地方创生案例，启发教育新思维。另长期赞助普通话日报读报教育项目，提供学生更宽广的阅读资源。

“联园乐活教育基金会”成立于2009年，于联电新竹力行厂区设有联园活动中心，提供公司同仁、市民及园区从业人员良好的运动设施和安全活动场所为目标，并协助提供园区与市府各类运动或活动所需使用场地。除持续投入于内部人才之养成与能力提升外，联电更进一步向下扎根，希望透过早期的接触启发兴趣并培养专业知识。从深入国小校园进行半导体科普课程，由联电人组成志工团队，连接本业核心能力研发半导体科普教材及科普教育课程，与学生进行互动课程，揭开学童对于半导体产业从生产、制造到成为日常生活产品的神秘面纱，2023年科普志工服务共53梯次，4268人次受益。

联电于大专院校推动优质重点研发人才、深化产学合作，透过与重点学校合作开设半导体实务专班，由联电各领域专家担任讲师，从大学阶段即开始培育半导体种子人才，让年轻学子于就学期间即能更深入学习半导体相关知识与技术，并与后续的职场人才发展紧密衔接，积极媒合就业，扎根台湾半导体科技人才培育。

为感念刘炯朗院士长期投入电机电子教育，及在担任联华电子独立董事期间对公司经营决策的指导与贡献，联电于2023年度设立“联电刘炯朗博士生奖学金”，锁定半导体元件、制程、材料、设备相关领域，提供博士生每人每月四万元奖学金，最长可连续四年，以鼓励其专心致力于学术研究，无后顾之忧地投入科技创新，2023年共有10位同学获此奖助。

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